Транзисторы 2SD2499(D2499) и STS9014 (S9014).
Транзисторы 2SD2499(D2499)
Т ранзисторы 2SD2499(D2499) — кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры — n-p-n. Разработаны фирмой Toshiba Semiconductor первоначально, для блоков развертки телевизоров и мониторов, но в дальнейшем — применялись в целом ряде, самых различных устройств.
Корпус пластмассовый.
Маркировка буквенно — цифровая, на корпусе. На рисунке ниже — маркировка и цоколевка 2SD2499(D2499).
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока — от 8 до 25
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 4А, базы 0,8А — — 5в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 4А, базы 0,8А — — не выше 1,3в.
Граничная частота передачи тока. — 2МГц.
Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — 600 в.
Максимальный постоянный ток коллектора — 6 А.
Максимальный импульсный ток коллектора — 12 А.
Рассеиваемая мощность коллектора — 50 Вт.
Емкость коллекторного перехода на частоте 1Мгц, при напряжении коллектор-база 10 в — 95 пФ.
Обратный ток колектора при напряжении коллектор-база 1500 в — не более 1 мА.
Обратный ток эмитера при напряжении эмиттер-база 5 в — не более 200 мА.
Транзисторы STS9014 (S9014)
Транзисторы STS9014 (S9014) — высокочастотные кремниевые n-p-n средней мощности. Корпус пластиковый TO-92, у транзисторов S9014L, S9014H — SOT-23. Маркировка у транзисторов с корпусом TO-92 буквенно — цифровая (S9014), у транзисторов с корпусом SOT-23 — код J6 сверху .
На рисунке ниже — цоколевка STS9014 (S9014), S9014L, S9014H.
Наиболее важные параметры.
Уровень собственных шумов на частоте 1КГц — не более 10дб.
Коэффициент передачи тока:
У транзисторов S9014 — от 100 до 1000 .
У транзисторов S9014 — от 200 до 450 .
У транзисторов S9014 — от 450 до 1000 .
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 10мА — — не выше 0,25в.
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов S9014 — 50в.
У транзисторов S9014L, S9014H — 45в.
Максимальный постоянный ток коллектора:
У транзисторов S9014 — 150 мА.
У транзисторов S9014L, S9014H — 0,1A.
Рассеиваемая мощность коллектора:
У транзисторов S9014 — 625 мВт.
У транзисторов S9014L, S9014H — 200 мВт.
Граничная частота передачи тока:
У транзисторов S9014 — 60 МГц.
У транзисторов S9014L, S9014H — 150 мВт.
Емкость коллекторного перехода на частоте 1Мгц, при напряжении коллектор-база 10 в — не более 3,5 пФ.
Обратный ток колектора при напряжении коллектор-база 50 в — не более 50 мкА.
Обратный ток эмитера при напряжении эмиттер-база 5 в — не более 100 мкА.
Транзистор комплементарный STS9014 — STS9015.
Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».
DataSheet
Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.
2SD2499 — кремниевый NPN диффузионный транзистор
Описание
Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.
Особенности:
- Третье поколение мощных высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения.
- Низкое напряжение насыщения.
- Изолированный корпус.
- Встроенный демпферный диод.
| Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
| Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
| Vcbo | Напряжение коллектор-база | — | — | — | 1500 | В |
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | 600 | В |
| Vebo | Напряжение эмиттер-база | — | — | — | 5 | В |
| Ic | Ток коллектора постоянный/импульсный | — | — | — | 6,0/12 | А |
| Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 50 | Вт |
| hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 4,0 А | 5 | — | 9 | — |
| Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 4,0 A, Ib = 0,8 А | — | — | 5,0 | В |
| FT | Граничная частота эффективного усиления | Vce = 10 В, Ic = 0,1 А | — | 2 | — | МГц |
| Ib | Ток базы | — | — | — | 3,0 | А |
| Tf | Время спада импульса | F = 15,75 кГц | — | — | 0,4 | мкс |
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
Транзистор д2499 распиновка
Наименование производителя: 2SD2499
Тип материала: Si
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 0.04 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 95 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
Корпус транзистора: TO3PHIS
2SD2499 Datasheet (PDF)
..1. 2sd2499.pdf Size:268K _toshiba
2SD2499 TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE 2SD2499 HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR COLOR TV Unit: mm High Voltage : VCBO = 1500 V Low Saturation Voltage : V = 5 V (Max.) CE (sat) High Speed : t = 0.3 s (Typ.) f Bult-in Damper Type Collector Metal (Fin) is Fully Covered with Mold Resin. MAXIMUM RATINGS (Tc = 25C) CHARACTERISTIC SYMBOL
..2. 2sd2499.pdf Size:201K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD2499DESCRIPTIONHigh Breakdown Voltage-: V = 1500V (Min)CBOHigh Switching SpeedLow Saturation VoltageBuilt-in Damper DiodeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSColor TV horizontal deflection output applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE
8.1. 2sd2498.pdf Size:270K _toshiba
2SD2498 TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE 2SD2498 HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR HIGH Unit: mm RESOLUTION DISPLAY, COLOR TV HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS High Voltage : VCBO = 1500 V Low Saturation Voltage : V = 5 V (Max.) CE (sat) High Speed : t = 0.4 s (Typ.) f Collector Metal (Fin) is Fully Covered with Mold Resin. MAXIMUM RATI
2SD2491, 2SD2492Silicon NPN EpitaxialApplicationLow frequency high voltage amplifierFeatures Isolated packageTO-126FMOutlineTO-126FM1. Emitter2. Collector3. Base1232SD2491, 2SD2492Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)RatingsItem Symbol 2SD2491 2SD2492 UnitCollector to base voltage VCBO 160 200 VCollector to emitter voltage VCEO 160 200 VEmitter to b
8.4. 2sd2494.pdf Size:86K _jmnic
Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Darlington Power Transistors 2SD2494 DESCRIPTION With TO-3PML package Complement to type 2SB1625 APPLICATIONS Audio, Series regulator General Purpose PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Collector3 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3PML) and symbol Maximum absolute ratings(Tc=25) SYMBOL PARAMETER CONDITI
8.5. 2sd2495.pdf Size:84K _jmnic
Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Darlington Power Transistors 2SD2495 DESCRIPTION With TO-220F package Complement to type 2SB1626 APPLICATIONS For audio,series regulator and general purpose applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Collector3 EmitterFig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol Absolute maximum ratings (Ta=25) SYMBOL PARA
8.6. 2sd2493.pdf Size:89K _jmnic
Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Darlington Power Transistors 2SD2493 DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type 2SB1624 APPLICATIONS Audio ,regulator and general purpose PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol Absolute maximum ratings(Ta=) SYMBOL PA
8.7. 2sd2494.pdf Size:25K _sanken-ele
CEquivalent circuitBDarlington 2SD2494(70)ESilicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SB1625)Application : Audio, Series Regulator and General Purpose(Ta=25C) Absolute maximum ratings (Ta=25C) Electrical Characteristics External Dimensions FM100(TO3PF)Symbol 2SD2494 Unit Symbol Conditions 2SD2494 Unit0.20.2 5.515.60.23.45VCBO
8.8. 2sd2495.pdf Size:24K _sanken-ele
CEquivalent circuitBDarlington 2SD2495(70)ESilicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SB1626) Application : Audio, Series Regulator and General Purpose Absolute maximum ratings (Ta=25C) Electrical Characteristics (Ta=25C) External Dimensions FM20(TO220F)Symbol 2SD2495 Symbol Conditions 2SD2495 UnitUnit0.24.20.210.1c0.5VCBO 110 ICB
8.9. 2sd2493.pdf Size:25K _sanken-ele
Equivalent circuitCBDarlington 2SD2493(70)ESilicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SB1624)Application : Audio, Series Regulator and General Purpose Absolute maximum ratings (Ta=25C) Electrical Characteristics (Ta=25C) External Dimensions MT-100(TO3P)2SD2493Symbol 2SD2493 Symbol Conditions UnitUnit0.24.80.415.6100max AVCB
8.10. 2sd2494.pdf Size:207K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD2494DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 110V(Min)(BR)CEOHigh DC Current Gain-: h = 5000( Min.) @(I = 5A, V = 4V)FE C CELow Collector Saturation Voltage-: V = 2.5V(Max)@ (I = 5A, I = 5mA)CE(sat) C BComplement to Type 2SB1625Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable op
8.11. 2sd2495.pdf Size:218K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD2495DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 110V(Min)(BR)CEOHigh DC Current Gain-: h = 5000( Min.) @(I = 5A, V = 4V)FE C CELow Collector Saturation Voltage-: V = 2.5V(Max)@ (I = 5A, I = 5mA)CE(sat) C BComplement to Type 2SB1626Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable op
8.12. 2sd2498.pdf Size:202K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD2498DESCRIPTIONHigh Breakdown Voltage-: V = 1500V (Min)CBOHigh Switching SpeedLow Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHorizontal deflection output for high resolution display,color TVHigh speed switching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25
8.13. 2sd2493.pdf Size:228K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD2493DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 110V(Min)(BR)CEOHigh DC Current Gain-: h = 5000( Min.) @(I = 5A, V = 4V)FE C CELow Collector Saturation Voltage-: V = 2.5V(Max)@ (I = 5A, I = 5mA)CE(sat) C BComplement to Type 2SB1624Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable op
8.14. 2sd2490.pdf Size:197K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD2490DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 200V(Min)(BR)CEOHigh DC current gain: h = 1000(Min) @I = 1AFE CLow Collector Saturation Voltgae-: V = 1.5V(Max.)@ I = 1ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAudio ,re