Распиновка оперативной памяти ddr4 для настольных пк

Распиновка разъёмов оперативной памяти DDR1, DDR2, DDR3

Быстрый переход к:

  • DDR1 SDRAM DIMM (184 pin, Unbuffered)
  • DDR2 SDRAM DIMM (240 pin, Unbuffered)
  • DDR3 SDRAM DIMM (240 pin, Unbuffered)

Память DDR SDRAM DIMM (184 pin, Unbuffered)

Модуль памяти DDR SDRAM DIMM (184 pin, Unbuffered)

Распиновка разъёма DDR SDRAM DIMM (184 pin, Unbuffered)

Slot pin # Name Description
1 VREF Power supply for reference
2 DQ0 Data input / output
3 VSS Ground
4 DQ1 Data input / output
5 DQS0 Data strobe input / output
6 DQ2 Data input / output
7 VDD Power supply (2,5V)
8 DQ3 Data input / output
9 NC Not connected
10 NC Not connected
11 VSS Ground
12 DQ8 Data input / output
13 DQ9 Data input / output
14 DQS1 Data strobe input / output
15 VDD Power supply (2,5V)
16 CK1 Clock input
17 CK1# Clock input
18 VSS Ground
19 DQ10 Data input / output
20 DQ11 Data input / output
21 CKE0 Clock enable input
22 VDD Power supply (2,5V)
23 DQ16 Data input / output
24 DQ17 Data input / output
25 DQS2 Data strobe input / output
26 VSS Ground
27 A9 Address input (multiplexed)
28 DQ18 Data input / output
29 A7 Address input (multiplexed)
30 VDD Power supply (2,5V)
31 DQ19 Data input / output
32 A5 Address input (multiplexed)
33 DQ24 Data input / output
34 VSS Ground
35 DQ25 Data input / output
36 DQS3 Data strobe input / output
37 A4 Address input (multiplexed)
38 VDD Power supply (2,5V)
39 DQ26 Data input / output
40 DQ27 Data input / output
41 A2 Address input (multiplexed)
42 VSS Ground
43 A1 Address input (multiplexed)
44 CB0 Not connected
45 CB1 Not connected
46 VDD Power supply (2,5V)
47 DQS8 Data strobe input / output
48 A0 Address input (multiplexed)
49 CB2 Not connected
50 VSS Ground
51 CB3 Not connected
52 BA1 Bank select address
53 DQ32 Data input / output
54 VDD Power supply (2,5V)
55 DQ33 Data input / output
56 DQS4 Data strobe input / output
57 DQ34 Data input / output
58 VSS Ground
59 BA0 Bank select address
60 DQ35 Data input / output
61 DQ40 Data input / output
62 VDD Power supply (2,5V)
63 WE# Write enable
64 DQ41 Data input / output
65 CAS# Column address strobe
66 VSS Ground
67 DQS5 Data strobe input / output
68 DQ42 Data input / output
69 DQ43 Data input / output
70 VDD Power supply (2,5V)
71 NC Not connected
72 DQ48 Data input / output
73 DQ49 Data input / output
74 VSS Ground
75 CK2# Clock input
76 CK2 Clock input
77 VDD Power supply (2,5V)
78 DQS6 Data strobe input / output
79 DQ50 Data input / output
80 DQ51 Data input / output
81 VSS Ground
82 NC Not connected
83 DQ56 Data input / output
84 DQ57 Data input / output
85 VDD Power supply (2,5V)
86 DQS7 Data strobe input / output
87 DQ58 Data input / output
88 DQ59 Data input / output
89 VSS Ground
90 NC Not connected
91 SDA Serial data I/O
92 SCL Serial clock
93 VSS Ground
94 DQ4 Data input / output
95 DQ5 Data input / output
96 VDD Power supply (2,5V)
97 DQS9 Data strobe input / output
98 DQ6 Data input / output
99 DQ7 Data input / output
100 VSS Ground
101 NC Not connected
102 NC Not connected
103 NC Not connected
104 VDD Power supply (2,5V)
105 DQ12 Data input / output
106 DQ13 Data input / output
107 DQS10 Data strobe input / output
108 VDD Power supply (2,5V)
109 DQ14 Data input / output
110 DQ15 Data input / output
111 CKE1 Clock enable input
112 VDD Power supply (2,5V)
113 NC Not connected
114 DQ20 Data input / output
115 A12 Address input (multiplexed)
116 VSS Ground
117 DQ21 Data input / output
118 A11 Address input (multiplexed)
119 DQS11 Data strobe input / output
120 VDD Power supply (2,5V)
121 DQ22 Data input / output
122 A8 Address input (multiplexed)
123 DQ23 Data input / output
124 VSS Ground
125 A6 Address input (multiplexed)
126 DQ28 Data input / output
127 DQ29 Data input / output
128 VDD Power supply (2,5V)
129 DQS12 Data strobe input / output
130 A3 Address input (multiplexed)
131 DQ30 Data input / output
132 VSS Ground
133 DQ31 Data input / output
134 CB4 Not connected
135 CB5 Not connected
136 VDD Power supply (2,5V)
137 CK0 Clock input
138 CK0# Clock input
139 VSS Ground
140 DQS17 Data strobe input / output
141 A10 Address input (multiplexed)
142 CB6 Not connected
143 VDD Power supply (2,5V)
144 CB7 Not connected
145 VSS Ground
146 DQ36 Data input / output
147 DQ37 Data input / output
148 VDD Power supply (2,5V)
149 DQS13 Data strobe input / output
150 DQ38 Data input / output
151 DQ39 Data input / output
152 VSS Ground
153 DQ44 Data input / output
154 RAS# Row address strobe
155 DQ45 Data input / output
156 VDD Power supply (2,5V)
157 S0# Chip select input
158 S1# Chip select input
159 DQS14 Data strobe input / output
160 VSS Ground
161 DQ46 Data input / output
162 DQ47 Data input / output
163 NC Not connected
164 VDD Power supply (2,5V)
165 DQ52 Data input / output
166 DQ53 Data input / output
167 NC Not connected
168 VDD Power supply (2,5V)
169 DQS15 Data strobe input / output
170 DQ54 Data input / output
171 DQ55 Data input / output
172 VDD Power supply (2,5V)
173 NC Not connected
174 DQ60 Data input / output
175 DQ61 Data input / output
176 VSS Ground
177 DQS16 Data strobe input / output
178 DQ62 Data input / output
179 DQ63 Data input / output
180 VDD Power supply (2,5V)
181 SA0 Address in EEPROM
182 SA1 Address in EEPROM
183 SA2 Address in EEPROM
184 VDDSPD Serial EEPROM power supply (2,3-3,6V)

Память DDR2 SDRAM DIMM Unbuffered Module (240 pin)

Модуль памяти DDR2 SDRAM DIMM (240 pin, Unbuffered)

Источник

Оперативная память

Будем рассматривать память стандарта DIMM, про SIMM забудем, она уже совсем старая.

SIMM (англ. Single In-line Memory Module , односторонний модуль памяти) — модули памяти с однорядным расположением контактов, широко применявшиеся в компьютерных системах в 1990-е годы.

DIMM (англ. Dual In-line Memory Module, двухсторонний модуль памяти ) — форм-фактор модулей памяти DRAM. Данный форм-фактор пришёл на смену форм-фактору SIMM. Основным отличием DIMM от предшественника является то, что контакты, расположенные на разных сторонах модуля, являются независимыми, в отличие от SIMM, где симметричные контакты, расположенные на разных сторонах модуля, замкнуты между собой и передают одни и те же сигналы. Впервые в форм-факторе DIMM появились модули с памятью типа FPM, а затем и EDO. Ими комплектовались серверы и брендовые компьютеры. Модуль SO-DIMM предназначен для использования в ноутбуках или в качестве расширения памяти на плате, поэтому отличается уменьшенным габаритом.

В дальнейшем в модули DIMM стали упаковывать память типа DDR (она же DDR1), DDR2, DDR3 и DDR4, отличающуюся повышенным быстродействием.

DDR SDRAM (англ. double-data-rate synchronous dynamic random access memory) — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных).

SPD — небольшой чип (Serial Presence Detect), в котором производителем записывается информация о рабочих частотах и соответствующих задержках чипов памяти (в соответствии со стандартом JEDEC — читаем ниже), необходимые для обеспечения нормальной работы модуля. Информация из SPD считывается BIOS еще до загрузки операционной системы и позволяет автоматически установить режим работы памяти.

Вот этот чип:

Смотрим в описании материнской платы свой тип памяти (и максимальный поддерживаемый размер), покупаем, устанавливаем. Так? Не совсем, здесь тоже есть подводные камни.

Как подобрать оперативную память к материнской плате?

Эпат 1.
Идем на сайт производителя материнской платы — скачиваем описание pdf к плате, внимательно читаем раздел про поддерживаемую оперативную память. Сразу вводная — он неполный. т.к. уже после выпуска платы и инструкции появилась новая оперативная память.

Этап 2.
Там же на сайте производителя материнской платы ищем раздел «Поддержка» — > «Поддерживаемая оперативная память» -> скачиваем файл pdf с расширенным списком, внимательно читаем.

Этап 3.
Если есть на руках (или хочется купить) планку памяти, которой нет в 1-м и в 2-м этапе -> идем на этап 3. Заходим на сайт производителя оперативной памяти и смотрим, с какими материнскими платами тестировалась данная память.

Вот тут смотреть, ищем свою материнскую плату, получаем список совместимых планок:
www.kingston.com
www.patriotmemory.com

Комментарий: если материнская плата более новая, чем память — наиболее полные данные будут у производителя платы, если плата старая и потом еще выпускалась более новая память — наиболее полные данные будут у производителя памяти.

Этап 4.
Для DDR3 / DDR4 выбранная память должна еще поддерживаться процессором, т.к. контроллер памяти теперь там. Грубо говоря, Вы купили DDR3 1600 Мгц, материнская плата ее поддерживает, а процессоре заявлена поддержка только 1333 Мгу = память заработает на частоте 1333 Мгц.

Этап 5.
Тестирование на реальном железе.
НЕ ЗАБЫВАЕМ: планки памяти меняем на выключенном ПК, от слова «совсем». Т.е. должен быть выключен и блок питания, что бы на материнской плате не было дежурного питания.
Вставляем 1-ну планку в 1-й слот DIMM и пробуем стартовать. Именно, так — по очереди. Не надо сразу пытаться вставить все четыре планки. Возможно, придется какие-то планки менять местами — иногда на одном месте планка работает. на другом — не работает. Мистика. С другой стороны — 288 контактов на планку (для DDR4), на 4 слота это в сумме 1152 контакта. А контакт он такой — где-то он есть. где-то его нет.
Если все работает (на первый взгляд) — тестируем.
Для проверки корректности работы установленной оперативной памяти используем memtest.
Если ошибок нет — поздравляем, Вы удачно установили планки памяти на материнскую плату.

Все нужно проверять.

1. ВАЖНО: оперативная память для AMD и остальных платформ не совпадает, несмотря на одинаковые названия и размеры!

В чем же различие? Интегрированный контроллер памяти процессоров AMD поддерживает адресацию с использованием 11-разрядных столбцов и размером страницы 16 Кбит. Стандартные контроллеры памяти, встречающиеся в составе других платформ, используют 10-разрядные столбцы и размер страницы 8 Кбит. При такой организации доступа к памяти каждая страница размером 16 Кбит может содержать 2048 точек входа. Это позволяет контроллеру памяти процессоров в исполнении Socket AM2/AM2+/AM3 оставаться на одной странице в два раза дольше по сравнению со «стандартным» контроллером памяти.

2. Китайская контрафактная память (т.е. непонятный производитель и этикетка от официального производителя)

Как пример — во многих местах продается память DDR2 800 Mhz KVR800D2N6/4G

Теперь смотрим на то, что продается

Видите разницу? Нет? А она есть.
На нижней планке от компании Kingston только наклейка (и может еще записи в SPD). Это творчество китайских товарищей — на одной стороне 16 чипов, всего соответственно 32 чипа. Компания Kingston такого никогда не производила — у оригинальной продукции 8 чипов на одну сторону (всего 16-ть). Это видно и на схеме выше и в тексте упомянуто (sixteen). Это даже не клон — это совершенно другая память с наклейкой Kingston. Конечно, она будет не на всех платформах работать (в частности — на Intel не работает).

3. Китайский производитель NONAME

Это вариант, когда:
— в SPD указана чепуха
— наклеек нет никаких (или в лучшем случае месяц/год производства)
— месяц производства на наклейке не совпадает с данными в SPD
— в рамках одной планки распаяны чипы РАЗНЫХ производителей

Беда. Но оказалось не совсем. Имеем 4 планки DDR2 800Mhz со всеми вышеперечисленными пунктами. И тут случается чудо — планки прекрасно работают, Memtest никаких ошибок не дает. И даже разгон поддерживается, через BIOS выставлена частота 950 Мгц — и по прежнему планки нормально работают, без каких либо ошибок.

Виды памяти

Тип памяти Число контактов Напряжение питания, В Частоты работы памяти, Мгц
DDR1 184 pin 2,5 В (старые мат.платы) 200 266 333 400
DDR1 184 pin 2,6 В
DDR2 240 pin 1,8 В 400 533 667 800 1066
DDR3 240 pin (не совместимы с DDR2) 1,5 В 800 1066 1333 1600 1866 2133 2400
на одинаковых частотах с DDR2 память DDR3 медленнее
DDR3L 240 pin (не совместимы с DDR2) 1,35 В (low voltage)
DDR4 288 pin 1,2 В 1600 1866 2133 2400 3200 3400

Да, есть два разных типа памяти DDR1 с одинаковыми разъемами и внешнем видом, НО на разные напряжения питания. Всего-то разница в 0,1В — но ошибаться нельзя, память стабильно работать не будет. Смотрим описание материнской платы, какое точно напряжение поддерживается. Не все старые материнские платы поддерживают оба напряжения (2,5В и 2,6В) для DDR1, но такие платы есть — в них можно устанавливать память и не задумываться про напряжение.

Начиная с DDR3, контроллер памяти «переехал» с материнской платы в процессор. Работа памяти на разных частотах определяется спецификацией процессора. Т.е. если материнская плата поддерживает DDR3 1600, планки установлены 1600, а процессор поддерживает 1066 — то память будет работать на 1066 Мгц. В стандартных условиях.

Да, есть исключения для socket 775, например плата ASUS P5Q3 — для поддержки DDR3 поступили по старому, оставили контроллер на материнской плате (так процессоры socket 775 такого контроллера не имеют.)

В настоящее время память DDR4 поддерживается только на материнских платах с socket 1151 / 2011-3 при использовании процессоров Intel шестого поколения. Контроллер памяти (управление памятью) также встроено в процессор. Для socket 1151 поддерживается двухканальный режим, для socket 2011-3 поддерживается четырехканальный режим работы памяти.

Если все планки памяти по частотам разные (что не рекомендуется) — память будет работать на наименьшей частоте.

Соотношение частоты шины памяти, частоты памяти (она в два раза выше — так как DDR) и максимальной пропускной способности.

Частота шины памяти, Мгц Частота памяти, Мгц Стандарт Название модуля Мбит/сек (теоретическая)
100 200 DDR1 PC 1600
133 266 DDR1 JEDEC PC 2100
150 300 DDR1 PC 2400
166 333 DDR1 JEDEC PC 2700
200 400 DDR1 JEDEC PC 3200
217 433 DDR1 O.C.
233 466 DDR1 O.C.
250 500 DDR1 O.C.
275 550 DDR1 O.C.
300 600 DDR1 O.C.
200 400 DDR2 JEDEC
266 533 DDR2 JEDEC PC 4200
333 667 DDR2 JEDEC PC 5300
400 800 DDR2 JEDEC PC 6400 6400
500 1000 DDR2 O.C.
533 1066 DDR2 O.C. PC 8500 8533
556 1111 DDR2 O.C.
571 1142 DDR2 O.C.
625 1250 DDR2 O.C.
400 800 DDR3
533 1066 DDR3 JEDEC
667 1333 DDR3 JEDEC PC 10667 10667
800 1600 DDR3 JEDEC PC 12800 12800
900 1800 DDR3 JEDEC
933 1866 DDR3 O.C. PC 14900 14933
1000 2000 DDR3 JEDEC
1066 2133 DDR3 O.C. PC 17000 17066
1200 2400 DDR3 O.C. PC 19200 19200
800 1600 DDR4 JEDEC PC 12800 12800
933 1866 DDR4 JEDEC PC 14900 14933
1066 2133 DDR4 JEDEC PC 17000 17066
1200 2400 DDR4 O.C. PC 19200 19200
1600 3200 DDR4 O.C. PC4 25600 25600
1700 3400 DDR4 O.C. PC4 27200 27200

JEDEC (англ. Solid State Technology Association, известная как Joint Electron Device Engineering Council, или Сообщество (Комитет) Инженеров, специализирующихся в области электронных устройств) — комитет инженерной стандартизации полупроводниковой продукции при Electronic Industries Alliance (EIA), промышленной ассоциации, представляющей все отрасли электронной индустрии.

Еще немного маркетинга:
в SPD указываются параметры в соответствии со стандартом JEDEC. Т.е. для DDR2 с частотой 1066 Мгц и напряжением питания 2,3В в SPD будет указано 800 Мгц и 1.8В. Именно на этих параметрах память будет и запущена по умолчанию на материнской плате. А чтобы получить 1066 Мгц — нужно выставлять тайминги и напряжение вручную (если плата позволяет) — это уже разгон :)
Вообще конечно, странно, указывать на упаковке параметры, которые достигаются только при разгоне.

xtreme Memory Profiles (сокр. англ. XMP, рус. экстремальные профили памяти) — расширение стандарта SPD для хранения и передачи расширенной информации о модулях памяти DDR3 SDRAM, разработанное фирмой Intel в качестве альтернативы представленного ранее аналогичного расширения Nvidia — Enhanced Performance Profiles (сокр. англ. EPP).

Технология XMP служит упрощению разгона памяти с использованием заранее заготовленных настроек (профилей SPD, расширенных относительно стандартных профилей JEDEC) с понижением задержек (англ. low latency) или повышением частоты (англ. high frequency). При считывании расширенных данных SPD из модуля памяти, может производиться автоматическая настройка на указанные в расширенном профиле параметры, избавляя конечного пользователя от ручной настройки (для опытных пользователей оставлена возможность изменять параметры принудительно). В случае нестабильности работы памяти, являющейся следствием работы в режиме, близком к предельному, XMP предоставляет возможность безопасной загрузки (англ. fail-safe default boot), при этом все параметры устанавливаются по стандарту JEDEC.

Быстродействие памяти определяется физическим содержимом планок памяти, т.е какие микросхемы и какого стандарта там установлены. Но есть узкое место — компьютер общается с памятью через контроллер памяти (микросхема «северный мост» для DDR1/DDR2 и процессор для DDR3/DDR4). И тут возможны разные варианты.

Режим работы контроллера Описание
Single -channel architecture Контроллер производит обращение к памяти как к единому целому.
Dual-channel architecture Контроллер производит чтение памяти параллельными процессами. Для активации режима предусмотрены цветные разъемы для планок памяти. Необходимо вставить планки в разъемы одинакового цвета (1-й и 3-й разъем, 2-й и 4-й разъем — или установить все четыре планки). В теории быстродействие памяти увеличится в два раза, по факту измерения на разных приложениях ускорение работы составляет от 10% до 50%.
Triple-channel architecture Трех-канальная память поддерживается с socket 1356
Quad-channel architecture Четырех-канальная память поддерживается с socket 2011

Т.е. если Вы хотите 4-х канальную память DDR4 — то для Вас socket 2011 и 2011-3.

В socket 1151 только двух-канальная память.

Ниже фото типичного слота для 4-х планок оперативной памяти для двухканального режима работы.

Хорошо видно, что слоты 1-3 и 2-4 разного цвета.

Если всё установлено правильно, включится режим dual-channel, проверить результат можно в программе CPU-Z.

Вот вариант для режима Triple — Intel i7, три планки DDR3 по 16 Гиг (итого 48 Гиг на борту) и соответствующая материнская плата.

Видно тип памяти, ее параметры (латентность / тайминги), общий объем и режим работы.

Латентность (англ. CAS Latency, CL; жарг. тайминг) — временна́я задержка сигнала при работе динамической оперативной памяти со страничной организацией. Мера таймингов — такт шины памяти. Таким образом, каждая цифра означает задержку сигнала для обработки, измеряемая в тактах шины памяти.

CAS# Latency (CL) = 5 тактов = Задержка между отправкой в память адреса столбца и началом передачи данных. Время, требуемое на чтение первого бита из памяти, когда нужная строка уже открыта.

RAS# to CAS# Delay (tRCD) = 6 тактов = Число тактов между открытием строки и доступом к столбцам в ней. Время, требуемое на чтение первого бита из памяти без активной строки — TRCD + CL.

RAS# Precharge (tRP) = 6 тактов = Число тактов между командой на предварительный заряд банка (закрытие строки) и открытием следующей строки. Время, требуемое на чтение первого бита из памяти, когда активна другая строка — TRP + TRCD + CL.

Cycle Time (tRAS) = 18 тактов = Число тактов между командой на открытие банка и командой на предварительный заряд. Время на обновление строки. Накладывается на TRCD. Обычно примерно равно сумме трёх предыдущих чисел.

Для каждой планки памяти обычно указывается в виде последовательности четырех цифр: 5-6-6-18. Естественно, для разных частот работы эти цифры будут разные, можно посмотреть через программу Everest, что именно поддерживает данная планка памяти (раздел SPD).

Как раз видно, что память на частоте шины 400 Мгц (800 Мгц для самой памяти) будет работать с таймингами 5-6-6-18 и эти цифры совпадают с данными из программы CPU-Z.

И снова про беспощадный маркетинг.

У некоторых материнских плат написано в описании «Поддерживает память DDR3 с частотой 1800(O.C.)/1600(O.C.)/1333/1066 МГц» Все дело в волшебных буквах O.C., это означает OverClocked (разгон системы). Т.е. в базовом варианте контроллер памяти материнской платы устойчиво работает на максимальной частоте 1333 Мгц.
Для того, что бы получить работу памяти на частотах 1800-1600 Мгц необходимо заниматься разгоном системы — настройки BIOS, напряжение питания памяти, дополнительное охлаждение CPU / «северного моста» / памяти и т.п. И нужно приложить усилия (в том числе и подбором планок памяти), что бы получить устойчиво работающую систему.

Зато можно смело в рекламе писать, что «поддерживается частота памяти 1800 Мгц».

И еще вариант маркетинга — вот написано 4xDIMM, max. 16GB, DDR3 1800 (O.C)/1600/1333/1066 MHz — ладно, про 1800 все ясно (там буквы О.С.), будет ли работать память на 1600 Мгц? Будет — но не вся :(
Читаем дальше подробности DDR3 1600 MHz or above DIMMs work only on the Orange slots for one DIMM per channel. Вольный перевод — будет работать (и 1600 и 1800) только при установке планок в оранжевые слоты, т.е. только половина памяти, 8 Гб вместо 16 Гб.

Окончательный перевод на язык здравого смысла:

Наша супер материнская плата поддерживает 16 Gb памяти DDR3 на частоте 1800 Мгц, но
— для 1800 Мгц надо заниматься разгоном (параметры BIOS, охлаждение памяти и т.д.)
— на частотах 1600 Мгц и 1800 Мгц будут работать только два слота из четырех, а так как максимальный объем планки 4 Gb, то можно получить на максимальных скоростях только 8 Gb

И для старых материнских плат с DDR1 на 4Gb — аналогично.
«Due to chipset resource allocation, the system may detected less than 4 Gb of system memory when you installed four 1 Gb DDR memory modules » — в переводе на русский — «При установке 4 планок по 1GB по все 4 слота система может увидеть менее 4GB из-за особенностей чипсета». А уже совсем точно — будет определяться 3,5 Gb, при том, что система видит все 4 планки на 1GB. Чипсет такой не новый. Особенно радует стыдливое такое слово «may» — может увидеть менее…. Ага, точно увидит меньше.

Серверная память.

Сервер отличается от бытового ПК прежде всего отказоустойчивостью. Большая ценность хранимой информации и критические ошибки BSOD недопустимы.

При сбое обычной памяти получаем BSOD (приятный синий экран) и необходимость перезагрузки системы. Использование памяти ECC (англ. error-correcting code , код коррекции ошибок) позволяет продолжить работу системы, исключив сбойный участок памяти.

Память ECC-память в свою очередь бывает регистровая и не регистровая (иначе буферизированная и не буферизированная).
Регистровая память (англ. Registered Memory, RDIMM, иногда buffered memory) — вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти. Наличие регистров уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале. Регистровая память является более дорогой из-за меньшего объема производства и наличия дополнительных микросхем.

Конечно. данный вид памяти должен поддерживаться материнской платой (контроллером памяти) и BIOS. Физические размеры слотов и параметры электропитания одинаковые.

Хотя большая часть модулей памяти для серверов является регистровой и использует ECC, существуют и модули с ECC но без регистров (UDIMM ECC), они так же в большинстве случаев работоспособны и в десктопных системах. Можно обратить внимание, что в спецификации бытовой материнской платы написано non ECC, а в списке поддерживаемой памяти есть модули с ECC.
Регистровых модулей без ECC не существует.

Из-за использования регистров возникает дополнительная задержка при работе с памятью. Каждое чтение и запись буферизуются в регистре на один такт, прежде чем попадут с шины памяти в чип DRAM, поэтому регистровая память считается на один такт более медленной, чем нерегистровая (UDIMM, unregistered DRAM)

Источник

Adblock
detector