K596 транзистор распиновка

Содержание

K596 транзистор распиновка

..1. 2sk596.pdf Size:85K _blue-rocket-elect

2SK596 N-CHANNEL Junction FET/N Purpose: Especially suited for use in audio,telephone capacitor microphones. Features:Excellent voltage characteristic,excellent transient characteristic. /Absolute maximum ratings(Ta=25)

0.1. 2sk596s.pdf Size:313K _sanyo

2SK596SOrdering number : ENA0944SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-channel Silicon Juncton FETElectret Condenser Microphone2SK596SApplicationsFeatures Low output noise voltage : VNO=—110dB max (VCC=4.5V, RL=1k , Cin=15pF, VIN=0V, A curve) Especiallysuited for use in condenser microphone for audio equipments and telephones Excellent transient characteristic

0.2. 2sk596s-b.pdf Size:240K _onsemi

Ordering number : ENA09442SK596SN-Channel JFEThttp://onsemi.com20V, 140 to 350 A, 1.0mS, SPAFeatures Low output noise voltage : VNO=—110dB max (VCC=4.5V, RL=1k , Cin=15pF, VIN=0V, A curve) Especiallysuited for use in condenser microphone for audio equipments and telephones Excellent transient characteristic Adoption of FBET processSpecificationsAbsolut

Databook.fxp 1/14/99 2:03 PM Page D-2D-2 01/99Japanese Equivalent JFET TypesSilicon Junction Field-Effect Transistors2SK17 2SK40 2SK59 2SK105JapaneseIFN17 IFN40 IFN59 IFN105InterFETNJ16 NJ16 NJ16 NJ16ProcessUnit N N N NParameters Conditions Limit Channel Channel Channel ChannelVBVGSS IG = 1.0 A 20 50 30 50MinnA 0.10 1.0 1.0 1.0IGSS VGS = ( )

9.3. 2sk591.pdf Size:279K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK591FEATURESDrain Current : I = 15A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.055(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoi

Источник

K596 транзистор распиновка

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD K596 N-CHANNEL JFET CAPACITOR MICROPHONE APPLICATIONS FEATURES*Especially Suited for use in Audio, Telephone Capacitor Microphones *Excellent Voltage characteristic *Excellent Transient Characteristic *Pb-free plating product number: K596L ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin AssignmentPackage Packing Normal Lead Free Plating 1 2

0.1. 2sk596s.pdf Size:313K _sanyo

0.2. ksk596.pdf Size:46K _fairchild_semi

KSK596Capacitor Microphone Applications Especially Suited for use in Audio, Telephone Capacitor Microphones Excellent Voltage Characteristic Excellent Transient CharacteristicTO-92S11.Source 2. Gate 3. DrainSi N-channel Junction FETAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVGDO Gate-Drain Voltage -20 VIG Gate Current

0.3. 2sk596s-b.pdf Size:240K _onsemi

0.4. ktk596.pdf Size:604K _kec

KTK596SEMICONDUCTORN CHANNEL JUNCTION FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORCONDENSER MICROPHONE APPLICATION.FEATURESBEspecially Suited for Use in Audio, Telephone.Capacitor Microphones.Excellent Voltage Characteristics.DIM MILLIMETERSOA 3.20 MAXExcellent Transient Characteristics.HM B 4.30 MAXC 0.55 MAX_D 2.40 + 0.15E 1.27F 2.30C_+G 14.00

0.5. 2sk596.pdf Size:85K _blue-rocket-elect

Источник

K596 транзистор распиновка

Наименование прибора: 2SK596S

Тип транзистора: JFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.1 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 1.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.001 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2500 Ohm

Тип корпуса: SPA SC72

2SK596S Datasheet (PDF)

0.1. 2sk596s-b.pdf Size:240K _onsemi

8.1. 2sk596.pdf Size:85K _blue-rocket-elect

9.3. 2sk591.pdf Size:279K _inchange_semiconductor

Источник

Схема контроллера литий-ионного аккумулятора

Устройство и принцип работы защитного контроллера Li-ion/polymer аккумулятора

Если расковырять любой аккумулятор от сотового телефона, то можно обнаружить, что к выводам ячейки аккумулятора припаяна небольшая печатная плата. Это так называемая схема защиты, или Protection IC.

Из-за своих особенностей литиевые аккумуляторы требуют постоянного контроля. Давайте разберёмся более детально, как устроена схема защиты, и из каких элементов она состоит.

Рядовая схема контроллера заряда литиевого аккумулятора представляет собой небольшую плату, на которой смонтирована электронная схема из SMD компонентов. Схема контроллера 1 ячейки («банки») на 3,7V, как правило, состоит из двух микросхем. Одна микросхема управляющая, а другая исполнительная – сборка двух MOSFET-транзисторов.

На фото показана плата контроллера заряда от аккумулятора на 3,7V.

Микросхема с маркировкой DW01-P в небольшом корпусе – это по сути «мозг» контроллера. Вот типовая схема включения данной микросхемы. На схеме G1 – ячейка литий-ионного или полимерного аккумулятора. FET1, FET2 – это MOSFET-транзисторы.

Цоколёвка, внешний вид и назначение выводов микросхемы DW01-P.

Транзисторы MOSFET не входят в состав микросхемы DW01-P и выполнены в виде отдельной микросхемы-сборки из 2 MOSFET транзисторов N-типа. Обычно используется сборка с маркировкой 8205, а корпус может быть как 6-ти выводной (SOT-23-6), так и 8-ми выводной (TSSOP-8). Сборка может маркироваться как TXY8205A, SSF8205, S8205A и т.д. Также можно встретить сборки с маркировкой 8814 и аналогичные.

Вот цоколёвка и состав микросхемы S8205A в корпусе TSSOP-8.

Два полевых транзистора используются для того, чтобы раздельно контролировать разряд и заряд ячейки аккумулятора. Для удобства их изготавливают в одном корпусе.

Тот транзистор (FET1), что подключен к выводу OD (Overdischarge) микросхемы DW01-P, контролирует разряд аккумулятора – подключает/отключает нагрузку. А тот (FET2), что подключен к выводу OC (Overcharge) – подключает/отключает источник питания (зарядное устройство). Таким образом, открывая или закрывая соответствующий транзистор, можно, например, отключать нагрузку (потребитель) или останавливать зарядку ячейки аккумулятора.

Давайте разберёмся в логике работы микросхемы управления и всей схемы защиты вцелом.

Защита от перезаряда (Overcharge Protection).

Как известно, перезаряд литиевого аккумулятора свыше 4,2 – 4,3V чреват перегревом и даже взрывом.

Если напряжение на ячейке достигнет 4,2 – 4,3V (Overcharge Protection Voltage — V_OCP), то микросхема управления закрывает транзистор FET2, тем самым препятствуя дальнейшему заряду аккумулятора. Аккумулятор будет отключен от источника питания до тех пор, пока напряжение на элементе не снизится ниже 4 – 4,1V (Overcharge Release Voltage – V_OCR) из-за саморазряда. Это только в том случае, если к аккумулятору не подключена нагрузка, например он вынут из сотового телефона.

Если же аккумулятор подключен к нагрузке, то транзистор FET2 вновь открывается, когда напряжение на ячейке упадёт ниже 4,2V.

Защита от переразряда (Overdischarge Protection).

Если напряжение на аккумуляторе падает ниже 2,3 – 2,5V (Overdischarge Protection Voltage — V_ODP), то контроллер выключает MOSFET-транзистор разряда FET1 – он подключен к выводу DO.

Далее микросхема управления DW01-P перейдёт в режим сна (Power Down) и потребляет ток всего 0,1 мкА. (при напряжении питания 2V).

Тут есть весьма интересное условие . Пока напряжение на ячейке аккумулятора не превысит 2,9 – 3,1V (Overdischarge Release Voltage — V_ODR), нагрузка будет полностью отключена. На клеммах контроллера будет 0V. Те, кто мало знаком с логикой работы защитной схемы могут принять такое положение дел за «смерть» аккумулятора. Вот лишь маленький пример.

Миниатюрный Li-polymer аккумулятор 3,7V от MP3-плеера. Состав: управляющий контроллер — G2NK (серия S-8261), сборка полевых транзисторов — KC3J1.

Аккумулятор разрядился ниже 2,5V. Схема контроля отключила его от нагрузки. На выходе контроллера 0V.

При этом если замерить напряжение на ячейке аккумулятора, то после отключения нагрузки оно чуть подросло и достигло уровня 2,7V.

Чтобы контроллер вновь подключил аккумулятор к «внешнему миру», то есть к нагрузке, напряжение на ячейке аккумулятора должно быть 2,9 – 3,1V (V_ODR).

Тут возникает весьма резонный вопрос.

По схеме видно, что выводы Стока (Drain) транзисторов FET1, FET2 соединены вместе и никуда не подключаются. Как же течёт ток по такой цепи, когда срабатывает защита от переразряда? Как нам снова подзарядить «банку» аккумулятора, чтобы контроллер опять включил транзистор разряда – FET1?

Дело в том, что внутри полевых транзисторов есть так называемые паразитные диоды – они являются результатом технологического процесса изготовления MOSFET-транзисторов. Вот именно через такой паразитный (внутренний) диод транзистора FET1 и будет течь ток заряда, так как он будет включен в прямом направлении.

Если порыться в даташитах на микросхемы защиты Li-ion/polymer (в том числе DW01-P, G2NK), то можно узнать, что после срабатывания защиты от глубокого разряда, действует схема обнаружения заряда – Charger Detection. То есть при подключении зарядного устройства схема определит, что зарядник подключен и разрешит процесс заряда.

Зарядка до уровня 3,1V после глубокого разряда литиевой ячейки может занять весьма длительное время – несколько часов.

Чтобы восстановить литий-ионный/полимерный аккумулятор можно использовать специальные приборы, например, универсальное зарядное устройство Turnigy Accucell 6. О том, как это сделать, я уже рассказывал здесь.

Именно этим методом мне удалось восстановить Li-polymer 3,7V аккумулятор от MP3-плеера. Зарядка от 2,7V до 4,2V заняла 554 минуты и 52 секунды, а это более 9 часов ! Вот столько может длиться «восстановительная» зарядка.

Кроме всего прочего, в функционал микросхем защиты литиевых акумуляторов входит защита от перегрузки по току (Overcurrent Protection) и короткого замыкания. Защита от токовой перегрузки срабатывает в случае резкого падения напряжения на определённую величину. После этого микросхема ограничивает ток нагрузки. При коротком замыкании (КЗ) в нагрузке контроллер полностью отключает её до тех пор, пока замыкание не будет устранено.

Источник

К596 транзистор распиновка

Содержание

К596 транзистор распиновка

..1. 2sk596.pdf Size:85K _blue-rocket-elect

0.1. 2sk596s.pdf Size:313K _sanyo

0.2. 2sk596s-b.pdf Size:240K _onsemi

9.3. 2sk591.pdf Size:279K _inchange_semiconductor

Источник

К596 транзистор распиновка

Наименование прибора: 2SK596S

Тип транзистора: JFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.1 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 1.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.001 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2500 Ohm

Тип корпуса: SPA SC72

2SK596S Datasheet (PDF)

0.1. 2sk596s-b.pdf Size:240K _onsemi

8.1. 2sk596.pdf Size:85K _blue-rocket-elect

9.3. 2sk591.pdf Size:279K _inchange_semiconductor

Источник

K596 MOSFET. Datasheet pdf. Equivalent

Type Designator: K596

Type of Transistor: JFET

Type of Control Channel: N -Channel

Maximum Power Dissipation (Pd): 0.1 W

Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 20 V

Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 1.5 V

Maximum Drain Current |Id|: 0.001 A

Maximum Junction Temperature (Tj): 125 °C

K596 Datasheet (PDF)

0.1. 2sk596s.pdf Size:313K _sanyo

0.2. ksk596.pdf Size:46K _fairchild_semi

0.3. 2sk596s-b.pdf Size:240K _onsemi

0.4. ktk596.pdf Size:604K _kec

0.5. 2sk596.pdf Size:85K _blue-rocket-elect

Источник

Зарубежные и отечественные транзисторы

Содержание

Транзистор – популярный полупроводниковый прибор, выполняющий в электросхемах функции формирования, усиления или преобразования электросигналов и переключения электроимпульсов. Выделяют три типа этих приборов:

Однопереходные – иначе называются «двухбазовыми диодами». Представляют собой трехэлектродные полупроводники с одним p-n переходом;
Биполярные – имеют два p-n перехода;
Полевые – специальный класс, могут служить выключателями или регуляторами тока.

Домашним мастерам, специалистам по ремонту радиоаппаратуры, конструкторам часто требуется подобрать отечественный аналог импортных приборов или наоборот. В некоторых случаях это необходимо для экономии средств – российская продукция гораздо дешевле импортной. Это можно сделать несколькими способами:

Найти data sheets – техническую документацию к зарубежным электронным компонентам, в которой указываются основные параметры, обозначение на схемах и краткое описание. Затем воспользоваться справочниками на отечественные устройства. И методом подбора найти российские аналоги транзисторов или близкие по характеристикам устройства. Это длительный и сложный путь.
Использовать таблицу, представленную на нашем сайте. Она поможет заменить зарубежный транзистор отечественным или уменьшить диапазон поиска до нескольких экземпляров.

В нашем каталоге транзисторов вы можете подобрать и купить отечественные аналоги зарубежных транзисторов.

Таблицы зарубежных аналогов транзисторов

Если вы нашли неточность в таблицах аналогов или хотите дополнить их — напишите об этом в комментариях внизу страницы!

Источник