Irfz44n характеристики на русском схема подключения

Транзистор IRFZ44N

IRFZ44N — полевой МОП-транзистор из кремния. Элемент имеет очень низкий показатель сопротивления в активном состоянии и обладает высокой скоростью переключения, что позволяет эффективно использовать его для низковольтных коммутационных систем с необходимостью высокоскоростного переключения, например в блоках питания и различных преобразователях. Выпускается в корпусах TO-220AB, TO-220FP, TO-262, D2PAK, TO-263.

Корпус и цоколевка

Характерные особенности

  • Рабочая температура 175 °C.
  • Быстрое переключение.
  • Сверхнизкое сопротивление при включении.
  • Динамическая характеристика переключения (dv/dt).
  • Без использования свинца.

Предельные эксплуатационные характеристики

Характеристика Обозначение Величина
Постоянный ток утечки ID 49 А
Импульсный ток утечки IDM 160
Мощность рассеивания PD 94 Вт
Коэффициент линейного снижения мощности 0.63 Вт/°C
Напряжение насыщения затвор-исток VGS ± 20 В
Максимальный прерываемый ток IAR 25 А
Максимальная энергия повторяющихся импульсов на стоке EAR 9.4 мДж
Предельная скорость нарастания напряжения на стоке dv/dt 5 В/нс
Безопасный температурный диапазон TJ -55. + 175 °C
Допустимая температура при пайке 300 °C
Максимальный момент затяжки при креплении элемента 1.1 Нм

Типовые термические параметры

Характеристика Обозначение Максимальная величина
Теплопередача от кристалла к корпусу Rjc 1.5 °C/Вт
Теплопередача от корпуса к радиатору Rcs 0.5 °C/Вт
Теплопередача от кристалла к окружающей среде Rja 62 °C/Вт

Электрические параметры

Характеристика Обозначение Величина
Напряжение сток-исток V(BR)DSS 55 В
Температурный коэффициент напряжения пробоя ∆V(BR)DSS/∆TJ 0.058 В/°C
Сопротивление между стоком и истоком при открытом канале RDS(on) 17.5 mΩ
Минимальное напряжение необходимое для включения транзистора VGS(th) От 2 до 4 В
Крутизна передаточной характеристики – отношение ∆I стока к ∆U на затворе gfs 19 А/В
Ток утечки стока IDSS От 25 до 250 мкА
Ток утечки затвора IGSS От -100 до 100 нА
Заряд для затвора необходимый для открытия транзистора Qg 63 нКл
Заряд емкости затвор-исток Qgs 14 нКл
Емкость Миллера Qgd 23 нКл
Время необходимое для открытия транзистора td(on) 12 нс
Время нарастания импульса для открытия (передний фронт) tr 60 нс
Время необходимое для закрытия транзистора td(off) 44 нс
Время спада импульса при закрытии транзистора (задний фронт) tf 45 нс
Значение индуктивности стока LD 4.5 нГн
Значение индуктивности истока LS 7.5 нГн
Входная емкость Ciss 1470 пФ
Выходная емкость Coss 360 пФ
Емкость затвор-сток Crss 88 пФ
Максимальная энергия одного импульса на стоке EAS 150 мДж

Маркировка

Полное название полевой МОП–транзистор IRFZ44N, где:

  • IR – данный элемент впервые был выпущен на заводе компании International Rectifier (IR);
  • F – тип МОП-транзистора, в данном случае F – это транзистор со стандартным уровнем напряжения открытия затвора;
  • Z –тип корпуса ТО-220;
  • 44 – N-канальный транзистор.

Транзисторы IRFZ44N изготавливаются без использования свинца. Иногда, в конце названия можно увидеть маркировку PbF – это расшифровывается, как «plumbum free», то ест «без свинца».

Модификации транзистора

Тип Pd Uds Ugs Ugs(th) Tj Cd Id Qg Rds Корпус
IRFZ44NL 110 W 55 V 10 V 4 V 150 °C 49 A 42 nC 0.022 Ohm TO-262
IRFZ44NLPBF 94 W 55 V 20 V 4 V 175 °C 360 pf 49 A 63 nC 0.0175 Ohm TO-262
IRFZ44NPBF 94 W 55 V 20 V 4 V 175 °C 360 pf 49 A 63 nC 0.0175 Ohm TO-220AB
IRFZ44NS 110 W 55 V 10 V 4 V 150 °C 49 A 42 nC 0.022 Ohm D2PAK
IRFZ44NSPBF 94 W 55 V 20 V 4 V 175 °C 360 pf 49 A 63 nC 0.0175 Ohm TO-263
LIRFZ44N 94 W 55 V 20 V 175 °C 360 pf 49 A 0.0175 Ohm TO-220
  • Pd — Максимальная рассеиваемая мощность.
  • Uds — Предельно допустимое напряжение сток-исток.
  • Ugs — Предельно допустимое напряжение затвор-исток.
  • Ugs(th) — Пороговое напряжение включения.
  • Tj — Максимальная температура канала.
  • Cd — Выходная емкость.
  • Id — Максимально допустимый постоянный ток стока.
  • Qg — Общий заряд затвора.
  • Rds — Сопротивление сток-исток открытого транзистора.

Аналоги

Для транзисторов IRFZ44N нет аналогов, с полностью идентичными характеристиками. При этом имеется ряд транзисторов, которые своими характеристиками лишь немного отличаются от IRFZ44N.

Тип Id, А Vdss, В VGS(th), В VGS, В RDS(on), Ом Tj °C
IRFZ44N 49 55 2-4 20 0.0175 175
Зарубежное производство
IRFZ44E 48 60 4 10 0.023 150
IRFZ45 35 60 2-4 20 0.035 150
IRFZ46N 46 55 2-4 10 0.02 150
STP45NF06 38 60 4 20 0.028 175
HUF75329P3 49 55 4 20 0.024 150
IRF3205 98 55 2-4 10 0.008 150
BUZ102 42 50 4 20 0.023 175
Отечественное производство
КП723 50 60 2-4 20 0.028 150
КП812А1 50 60 2-4 20 0.028 150

При этом стоит отметить, что рабочая температура у многих зарубежных и отечественных аналогов транзистора немного меньше оригинала.

Примечание: данные в таблице взяты из даташип-производителя.

Графические данные характеристик

Рис 1. Зависимость предела протекающего тока стока от напряжения сток-исток, при импульсе длительностью 20 мкс и температуре 25 °C.

Рис 2. Зависимость предела протекающего тока стока от напряжения сток-исток, при импульсе длительностью 20 мкс и температуре 175 °C.

Рис 3. Передаточная характеристика полевого транзистора.

Рис 4. Зависимость сопротивления при открытом канале от температуры.

Рис 5. Зависимость величины паразитных емкостей от напряжения питания схемы.

Рис 6. Зависимость падения напряжения на внутреннем диоде от тока стока и температуры.

Рис 7. Зона безопасной работы в открытом состоянии в зависимости от длительности и значениях напряжения и тока на стоке.

Источник

Характеристики транзистора IRFZ44N

Как пишут производители в технических характеристиках на IRFZ44N, этот МОП-транзистор построен на кремниевой основе и имеет индуцированный n-канал и изолированный затвор. Его рекомендуется использовать в низковольтных блоках питания, стабилизаторах и схемах управления электрическими двигателями. Отличается низкой скоростью переключения.

Цоколевка

IRFZ44N изготавливается в корпусе ТО-220. Данный корпус является стандартным для транзисторов мощностью до 50 Вт. Самая левая ножка является затвором, посередине расположен сток, а справа исток. Увидеть расположение ножек можно на рисунке.

Технические характеристики

Производители, чаще всего, помещают максимально допустимые значения в начале своей технической документации. В них приведены предельные режимы эксплуатации, превышение которых приведёт к выхожу прибора из строя. Тестирование проводится при температуре +25°С.

Приведём характеристики для IRFZ44N:

  • длительный ток стока
  • при температуре +25°С Ic max = 49 А;
  • при температуре +100°С Ic max = 35 А.
  • кратковременный ток стока Icи max = 35 А;
  • мощность Рс max = 94 Вт;
  • линейный к-т снижения мощности 0,63 Вт/°С;
  • напряжение насыщения З – И Uзи = ±20 В;
  • лавинный ток Iл = 25 А;
  • пиковое диодное восстановление dv/dt = 5 В/нс;
  • температура кристалла Тj = 175°С;
  • рабочая температура Tamb = от -55 до +175°С;
  • температура хранения Tstg = от -55 до +175°С;
  • тепловое сопротивление кристалл корпус RθJC = 1,4 °С/Вт;
  • тепловое сопротивление кристалл радиатор RθCS = 0,5 °С/Вт;
  • тепловое сопротивление кристалл воздух RθJА = 62 °С/Вт.

Теперь перейдём к рассмотрению электрических характеристик. Для IRFZ44N производители выделили отдельный раздел, который показывает исток-сток показатели диода. Все измерения, как и для предельных значений, производились при температуре +25°С. Другие параметры проведения тестирования находятся в колонке «Условия измерения» в приведённой ниже таблицы.

Электрические (при Т = +25 оC)
Параметры Условия измерения Обозн. min Тип. max Ед. изм
Напряжение пробоя С — И Ic = 250мкА, Uзи = 0 Uси(проб.) 55 В
Температурный к-т напряжения пробоя Δ Uси(проб.) /ΔTj Ic=1мА 0,058 В/°С
Сопротивление С — И открытого транзистора Ic = 25А, Uзи = 10В Rси(вкл) 17,5 мОм
Пороговое напряжение затвора Ic = 250мкА, Uси= Uзи Uзи(пор.) 2 4 В
Проводимость в прямом направлении Ic = 25А, Uси = 25В Gпр. 19 S
Ток утечки сток-исток Uси = 55В Ic ут. 25 мкА
Uси = 55В, T J = 150°C 250 нА
Ток утечки затвор-исток Uзи=20В Iз ут. 100 нА
Ток утечки затвор-исток обратный Uзи=-20В Iз ут. -100 нА
Заряд затвора Ic=28А, Uси=44В, Uзи=10В 63 нКл
Заряд затвор-исток 14 нКл
Заряд затвор-сток 23 нКл
Время задержки выключения Uс=28В, Ic=25А,

Rз=12ом, Uзи=10В

12 нс
Время нарастания 60 нс
Время задержки выключения 44 нс
Время спада 47 нс
Индуктивность cтока Lc 4,5 нГн
Индуктивность иcтока 7,5 нГн
Ёмкость входа Uзи=0В, Uси=25В, f=1МГц Свх. 1470 пФ
Ёмкость выхода Свых. 360
Обратная ёмкость Сос 88
Энергия лавины моноимпульса I AS =25А, L=0.47мГн E AS 530 150 мДж
Исток-сток:
Непрерывный ток истока (диод) 49 А
Импульсный ток истока (диод) Iи им 160 А
Прямое напряжение диода I C = 25 A, Uзи = 0 В,

T J = 25°C

Uид 1,3 В
Время восстановления при переключении в обратном направлении Iд = 25 А, T J = 25°C, di/dt =100мкс tвост. 95 нс
Заряд обратного восстановления Qобр.вост. 170 260 нКл

Аналоги

МОП-транзисторов полностью совпадающих по всем значениям с IRFZ44N не существует. Перечислим наиболее подходящие по параметрам устройства: BUZ102, IRFZ45, irfz44n IRFZ40, IRF3205, STP45NF06, STP50N06, IRLZ44Z, STP55NF06. Помните, что перечисленные транзисторы не являются полными аналогами, поэтому перед заменой нужно изучить характеристики обеих приборов.

Производители

Среди крупных производителей IRFZ44N (datasheet по ссылки) можно назвать следующие компании:

Наиболее часто в отечественных магазинах встречаются изделия International Rectifier.

Источник

Рекомендуем:  Как влияет питание беременной на ребенка