Irf740 характеристики схема подключения

Транзистор IRF740 параметры

Дешевый n-канальный MOSFET на 400В и 10А. Был разработан и производился International Rectifier, потом IR продала большое количество своей номенклатуры вместе с производственными мощностями VISHAY и та стала выпускать транзистор под названием SiHF740A.
Кроме того IRF740 выпускают и другие производители: Infineon, ST, Fairchild.

IRF740 параметры

  • Структура — n-канал;
  • Максимальное напряжение сток-исток Uси = 400 В;
  • Максимальный ток сток-исток при 100°С Iси макс. = 6,3 А;
  • Максимальный ток сток-исток при 25°С Iси макс. = 10 А;
  • Максимальный импульсный ток сток-исток при 25°С Iси макс. = 40 А;
  • Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс. = ±20 В;
  • Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.

IRF740 нашел применение в качестве высокочастотных ключей импульсных источников питания:
В источниках питания с входным переменным напряжение 220-240 В для мостовой и полумостовой топологии, конечно если нет вероятности работы при повышенных сетевых напряжениях.
В источниках питания рассчитанных на 100-120 В могут использоваться в прямоходовом и обратноходовом включении.

Кроме того IRF740 применяется в металлоискателях, например в простом и популярном металлодетекторе PIRAT.

Аналоги IRF740

Полные: STP11NK40Z (ST), D84EQ2, VN2340N5.
Существует отечественный аналог IRF740 и с теми же цифрами КП740!

Этот транзистор дешево купить можно на алиэкспрессе по 2 доллара за 10 штук.

6 thoughts on “ Транзистор IRF740 параметры ”

Импульсный блок питания собирал лишь раз, для своей первой и единственной IBM XT ручной сборки. Навозился с ним больше, чем с материнской платой, в основном из-за наводимых помех вызывающих аппаратные сбои. Любовь к изготовлению ИБП пропала навсегда.
А вот металлоискателей, и как раз на КП740, сделал под заказы больше десятка. Неистребима в людях жажда кладоискания. Плохо то, что иногда, в виде клада выкапывают старые снаряды, мины и авиабомбы.
Но транзистор хорош и просто как высоковольтный ключ, без ВЧ.

У меня был отрицательный опыт при работе с полевыми мощными транзисторами, которым хотел бы поделится , что бы другие не повторили. Ремонтировал мощную ультрозвуковую ванну. Мне нужно было контролировать точно частоту выходного сигнала. Я мерил ее на затворе . В результате чего уходила частота за счет входного R и С прибора. Результат , который я ожидал , частота ушла в разнос и вывела из строя выходной каскад.

Ну, о влиянии измерительного прибора на измеряемый надо помнить всегда ) особенно при работе с ВЧ. Приличный осциллограф влияет меньше всех, как правило. Но ультразвук не такое уж и ВЧ в общем-то, там другие нюансы. Непонятно почему вышел из строя выходной каскад, обычно, на ультразвуковых мойках (по крайней мере с теми, что работал) при взбесившейся частоте летит излучатель, как самое слабое звено данного устройства. А уж он может потащить за собой и выходной каскад, хотя и не часто.

Я их сейчас как ключи для «умного дома» (на даче) использую. И по вольтажу подходят , а токи сейчас небольшие у освещения. Простота включения и 400 Вольт. А в основном цена все-таки и габариты.

Я, в основном, использую их так же, о чем и писал выше. Если не упираться в их высокочастотность, то как коммутационные и управляющие ключи электросети — они очень хороши. Для «умного дома» самое оно, много интересных вещиц, повышающих комфорт жилища можно понаделать и объединить в систему. Используя, как готовые решения, так и свои, несложные разработки. Когда-то казавшееся фантастикой, сейчас реализуется довольно просто, благодаря современной базе. А прогресс всегда двигался людьми ленивыми, но с фантазией )

Источник

Irf740 характеристики схема подключения

Наименование прибора: IRF740

Тип транзистора: MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 400 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 63(max) nC

Время нарастания (tr): 27 ns

Выходная емкость (Cd): 330 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.55 Ohm

IRF740 Datasheet (PDF)

..1. irf740.pdf Size:926K _international_rectifier

PD — 94872IRF740PbF Lead-Free12/5/03Document Number: 91053 www.vishay.com1IRF740PbFDocument Number: 91053 www.vishay.com2IRF740PbFDocument Number: 91053 www.vishay.com3IRF740PbFDocument Number: 91053 www.vishay.com4IRF740PbFDocument Number: 91053 www.vishay.com5IRF740PbFDocument Number: 91053 www.vishay.com6IRF740PbFTO-220AB Package Outline

IRF740 N — CHANNEL 400V — 0.48 — 10 A — TO-220PowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDIRF740 400 V

..4. irf740.pdf Size:154K _fairchild_semi

IRF740, SiHF740Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 400Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.55RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 63 COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 9.0Qgd (nC) 32 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDDES

..7. irf740.pdf Size:990K _blue-rocket-elect

IRF740 Rev.H Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficiency swi

..8. irf740.pdf Size:235K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor IRF740FEATURESDrain Source Voltage-: V = 400V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.55(Max)DS(on)Fast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitch mode power supplyUninterruptable power supplyHigh speed power switchingABSOLUTE MAXIMUM

0.1. irf740as.pdf Size:135K _international_rectifier

PD- 92005SMPS MOSFETIRF740AS/LHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max ID Switch Mode Power Supply ( SMPS ) Uninterruptable Power Supply 400V 0.55 10A High speed power switchingBenefits Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirement Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance and D 2 TO-262 PakAvalanch

0.2. irf740lcpbf.pdf Size:1404K _international_rectifier

PD — 94880IRF740LCPbF Lead-Free12/10/03Document Number: 91052 www.vishay.com1IRF740LCPbFDocument Number: 91052 www.vishay.com2IRF740LCPbFDocument Number: 91052 www.vishay.com3IRF740LCPbFDocument Number: 91052 www.vishay.com4IRF740LCPbFDocument Number: 91052 www.vishay.com5IRF740LCPbFDocument Number: 91052 www.vishay.com6IRF740LCPbFDocument Nu

0.3. irf7402pbf.pdf Size:183K _international_rectifier

PD — 95202IRF7402PbFHEXFET Power MOSFET Generation V TechnologyA Ultra Low On-ResistanceA1 8S D N-Channel MOSFETVDSS = 20V2 7S D Very Small SOIC Package Low Profile (

0.4. irf7404qpbf.pdf Size:242K _international_rectifier

PD — 96127AIRF7404QPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyA1 8l Ultra Low On-ResistanceS DVDSS = -20Vl P Channel MOSFET2 7S Dl Surface Mount3 6S Dl Available in Tape & Reel4 5l 150C Operating TemperatureG DRDS(on) = 0.040l Lead-FreeTop ViewDescriptionThese HEXFET Power MOSFET’s in packageutilize the lastest processing techniqu

0.5. irf740s.pdf Size:171K _international_rectifier

0.6. irf7406.pdf Size:114K _international_rectifier

PD — 9.1247CIRF7406PRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Generation V TechnologyA1 8 Ultra Low On-Resistance S DVDSS = -30V2 7 P-Channel MosfetS D Surface Mount3 6S D Available in Tape & Reel4 5G DRDS(on) = 0.045 Dynamic dv/dt Rating Fast SwitchingTop V iewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing te

0.7. irf7401.pdf Size:118K _international_rectifier

PD — 9.1244CIRF7401HEXFET Power MOSFET Generation V TechnologyAA1 8 Ultra Low On-Resistance S DVDSS = 20V2 7 N-Channel MosfetS D Surface Mount3 6S D Available in Tape & Reel4 5G DRDS(on) = 0.022 Dynamic dv/dt Rating Fast SwitchingTop ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to

0.8. irf740as-l.pdf Size:304K _international_rectifier

PD- 95532SMPS MOSFETIRF740AS/LPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max IDl Switch Mode Power Supply ( SMPS )l Uninterruptable Power Supply 400V 0.55 10Al High speed power switchingl Lead-FreeBenefitsl Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirementl Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt Ruggednessl Fully Characterized Capacitance and D 2

0.9. irf7403.pdf Size:116K _international_rectifier

PD — 9.1245BPRELIMINARY IRF7403HEXFET Power MOSFET Generation V TechnologyA Ultra Low On-Resistance A1 8S D N-Channel MosfetVDSS = 30V2 7S D Surface Mount3 6 Available in Tape & ReelS D Dynamic dv/dt Rating4 5G DRDS(on) = 0.022 Fast SwitchingTop ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processingte

0.10. irf7406pbf-1.pdf Size:231K _international_rectifier

IRF7406TRPbF-1HEXFET Power MOSFETVDS -30 VA1 8S DRDS(on) max 0.045 2 7(@V = -10V) S DGSQg (max) 59 nC 3 6S DID 45G D-5.8 A(@T = 25C)ASO-8Top ViewFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier ManufacturingRoHS Compliant, Halogen-Free Environment

0.11. irf7404.pdf Size:163K _international_rectifier

PD — 9.1246CIRF7404HEXFET Power MOSFET Generation V TechnologyA1 8S D Ultra Low On-ResistanceVDSS = -20V2 7 P-Channel MosfetS D Surface Mount3 6S D Available in Tape & Reel4 5G DRDS(on) = 0.040 Dynamic dv/dt Rating Fast SwitchingTop ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to a

0.12. irf7404pbf-1.pdf Size:234K _international_rectifier

IRF7404TRPbF-1HEXFET Power MOSFETVDS -20 VA1 8S DRDS(on) max 0.04 2 7(@V = -4.5V) S DGSQg 50 nC 3 6S DID 4 5-6.7 A G D(@T = 25C)ATop View SO-8Features BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier ManufacturingRoHS Compliant, Halogen-Free Environmentally Frie

0.13. irf7404pbf.pdf Size:231K _international_rectifier

PD — 95203IRF7404PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V Technologyl Ultra Low On-Resistance A1 8S Dl P-Channel MosfetVDSS = -20V2 7S Dl Surface Mount3 6Sl Available in Tape & Reel D4 5l Dynamic dv/dt RatingG DRDS(on) = 0.040l Fast SwitchingTop Viewl Lead-FreeDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced proces

0.14. irf740spbf.pdf Size:951K _international_rectifier

PD — 95204IRF740SPbF Lead-Free4/29/04Document Number: 91055 www.vishay.com1IRF740SPbFDocument Number: 91055 www.vishay.com2IRF740SPbFDocument Number: 91055 www.vishay.com3IRF740SPbFDocument Number: 91055 www.vishay.com4IRF740SPbFDocument Number: 91055 www.vishay.com5IRF740SPbFDocument Number: 91055 www.vishay.com6IRF740SPbFD2Pak Package Outli

0.15. irf7401pbf.pdf Size:197K _international_rectifier

PD — 95724IRF7401PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V Technologyl Ultra Low On-ResistanceAA1 8l N-Channel MosfetS DVDSS = 20Vl Surface Mount 2 7S Dl Available in Tape & Reel3 6S Dl Dynamic dv/dt Rating4 5G DRDS(on) = 0.022l Fast Switchingl Lead-FreeTop ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced proc

0.16. irf7403pbf.pdf Size:231K _international_rectifier

PD — 95301IRF7403PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V TechnologyAl Ultra Low On-Resistance A1 8S Dl N-Channel MosfetVDSS = 30V2 7S Dl Surface Mount3 6l Available in Tape & ReelS Dl Dynamic dv/dt Rating45G DRDS(on) = 0.022l Fast Switchingl Lead-FreeTop ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced proc

0.17. irf7406gpbf.pdf Size:262K _international_rectifier

PD -96259IRF7406GPbFHEXFET Power MOSFETl Generation V Technologyl Ultra Low On-ResistanceAl P-Channel Mosfet1 8S Dl Surface MountVDSS = -30V2 7S Dl Available in Tape & Reell Dynamic dv/dt Rating 3 6S Dl Fast Switching4 5G Dl Lead-FreeRDS(on) = 0.045l Halogen-FreeTop ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize

0.18. irf7402.pdf Size:136K _international_rectifier

PD — 93851AIRF7402HEXFET Power MOSFET Generation V TechnologyAA Ultra Low On-Resistance 1 8S D N-Channel MOSFETVDSS = 20V2 7S D Very Small SOIC Package3 6S D Low Profile (

0.19. irf740alpbf irf740aspbf.pdf Size:316K _international_rectifier

PD- 95532SMPS MOSFETIRF740AS/LPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max IDl Switch Mode Power Supply ( SMPS )l Uninterruptable Power Supply 400V 0.55 10Al High speed power switchingl Lead-FreeBenefitsl Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirementl Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt Ruggednessl Fully Characterized Capacitance and2

0.20. irf740lc.pdf Size:174K _international_rectifier

0.21. irf740a.pdf Size:196K _international_rectifier

PD- 94828SMPS MOSFETIRF740APbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max IDl Switch Mode Power Supply ( SMPS )l Uninterruptable Power Supply 400V 0.55 10Al High speed power switchingl Lead-FreeBenefitsl Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirementl Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt Ruggednessl Fully Characterized Capacitance andAvalanch

0.22. irf7406pbf.pdf Size:235K _international_rectifier

PD — 95302IRF7406PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V Technologyl Ultra Low On-ResistanceA1 8l P-Channel Mosfet S DVDSS = -30V2 7l Surface MountS Dl Available in Tape & Reel3 6S Dl Dynamic dv/dt Rating4 5G DRDS(on) = 0.045l Fast Switchingl Lead-FreeTop ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced proces

0.23. irf7401pbf-1.pdf Size:236K _international_rectifier

IRF7401PbF-1HEXFET Power MOSFETVDS 20 VAA1 8S DRDS(on) max 0.022 2 7(@V = 4.5V) S DGSQg 48 nC3 6S DID 4 58.7 A G D(@T = 25C)ASO-8Top ViewFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier ManufacturingRoHS Compliant, Halogen-Free Environmentally Fri

IRF740S N — CHANNEL 400V — 0.48 — 10A- D2PAKPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDIRF740S 400 V

0.25. irf740b irfs740b.pdf Size:924K _fairchild_semi

November 2001IRF740B/IRFS740B400V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 10A, 400V, RDS(on) = 0.54 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 41 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 35 pF)This advanced technology has been especially tailored to

0.27. irf740a.pdf Size:937K _samsung

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 400 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.55 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 10 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 400V Lower RDS(ON) : 0.437 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Va

IRF740A, SiHF740AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 400RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.55 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRoHS*Qg (Max.) (nC) 36COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 9.9 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageQgd (nC) 16and CurrentConfigur

IRF740AS, SiHF740AS, IRF740AL, SiHF740ALVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 400DefinitionRDS(on) ()VGS = 10 V 0.55 Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveRequirementQg (Max.) (nC) 36 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtQgs (nC) 9.9RuggednessQgd (nC) 16 Fully Characterized Capac

IRF740LC, SiHF740LCVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Ultra Low Gate ChargeVDS (V) 400 Reduced Gate Drive Requirement AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.55 Enhanced 30 V VGS RatingRoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 39 Reduced Ciss, Coss, CrssQgs (nC) 10 Extremely High Frequency OperationQgd (nC) 19 Repetitive Avalanche Rated Comp

IRF740S, SiHF740SVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) 400 Surface MountRDS(on) ()VGS = 10 V 0.55 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 63 Dynamic dV/dt RatingQgs (nC) 9.0 Repetitive Avalanche Rated Fast SwitchingQgd (nC) 32 Ease of ParallelingConfiguration Sin

IRF740, SiHF740Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 400Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.55RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 63 COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 9.0Qgd (nC) 32 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDDES

IRF740S, SiHF740SVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) 400 Surface MountRDS(on) ()VGS = 10 V 0.55 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 63 Dynamic dV/dt RatingQgs (nC) 9.0 Repetitive Avalanche Rated Fast SwitchingQgd (nC) 32 Ease of ParallelingConfiguration Sin

IRF740A, SiHF740AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 400RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.55 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRoHS*Qg (Max.) (nC) 36COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 9.9 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageQgd (nC) 16and CurrentConfigur

IRF740LC, SiHF740LCVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Ultra Low Gate ChargeVDS (V) 400 Reduced Gate Drive Requirement AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.55 Enhanced 30 V VGS RatingRoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 39 Reduced Ciss, Coss, CrssQgs (nC) 10 Extremely High Frequency OperationQgd (nC) 19 Repetitive Avalanche Rated Comp

0.36. irf740b.pdf Size:283K _vishay

IRF740Bwww.vishay.comVishay SiliconixD Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Optimal designVDS (V) at TJ max. 450- Low area specific on-resistanceRDS(on) max. () at 25 C VGS = 10 V 0.6- Low input capacitance (Ciss)AvailableQg max. (nC) 30- Reduced capacitive switching lossesQgs (nC) 4- High body diode ruggednessQgd (nC) 7- Avalanche energy rated (U

0.37. irf7402pbf.pdf Size:183K _infineon

PD — 95202IRF7402PbFHEXFET Power MOSFET Generation V TechnologyA Ultra Low On-ResistanceA1 8S D N-Channel MOSFETVDSS = 20V2 7S D Very Small SOIC Package Low Profile (

0.38. irf7404pbf.pdf Size:231K _infineon

PD — 95203IRF7404PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V Technologyl Ultra Low On-Resistance A1 8S Dl P-Channel MosfetVDSS = -20V2 7S Dl Surface Mount3 6Sl Available in Tape & Reel D4 5l Dynamic dv/dt RatingG DRDS(on) = 0.040l Fast SwitchingTop Viewl Lead-FreeDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced proces

0.39. irf7403pbf.pdf Size:231K _infineon

PD — 95301IRF7403PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V TechnologyAl Ultra Low On-Resistance A1 8S Dl N-Channel MosfetVDSS = 30V2 7S Dl Surface Mount3 6l Available in Tape & ReelS Dl Dynamic dv/dt Rating45G DRDS(on) = 0.022l Fast Switchingl Lead-FreeTop ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced proc

0.40. irf7406pbf.pdf Size:235K _infineon

PD — 95302IRF7406PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V Technologyl Ultra Low On-ResistanceA1 8l P-Channel Mosfet S DVDSS = -30V2 7l Surface MountS Dl Available in Tape & Reel3 6S Dl Dynamic dv/dt Rating4 5G DRDS(on) = 0.045l Fast Switchingl Lead-FreeTop ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced proces

0.41. irf7401pbf-1.pdf Size:236K _infineon

IRF7401PbF-1HEXFET Power MOSFETVDS 20 VAA1 8S DRDS(on) max 0.022 2 7(@V = 4.5V) S DGSQg 48 nC3 6S DID 4 58.7 A G D(@T = 25C)ASO-8Top ViewFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier ManufacturingRoHS Compliant, Halogen-Free Environmentally Fri

0.42. hirf740.pdf Size:48K _hsmc

Spec. No. : MOS200512HI-SINCERITYIssued Date : 2005.09.01Revised Date : 2005.09.22MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HIRF740 Series Pin AssignmentHIRF740 / HIRF740FTabN-Channel Power MOSFET (400V, 10A)3-Lead Plastic TO-220ABPackage Code: EPin 1: GatePin 2 & Tab: DrainDescriptionPin 3: SourceThis N-Channel MOSFETs provide the designer with the best combinationo

0.43. irf7404tr.pdf Size:836K _cn_vbsemi

IRF7404TRwww.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definitiona0.015 at VGS = — 4.5 V TrenchFET Power MOSFET- 13a 100 % Rg Tested0.026 at VGS = — 2.5 V — 20 20 nC- 10 Built in ESD Protection with Zener Diode0.065 at VGS = — 1.8 V — 8 Typical

0.44. irf740fi.pdf Size:231K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor IRF740FIDESCRIPTIONDrain Current I = 5.5A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 400V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.55(Max)DS(on)Fast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned especially for high voltag

0.45. irf740a.pdf Size:213K _inchange_semiconductor

isc N-Channel Mosfet Transistor IRF740AFEATURESDrain Source Voltage-: V = 400V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.55(Max)DS(on)Fast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitch mode power supplyUninterruptable power supplyHigh speed power switchingABSOLUTE MAXIMUM

Источник

Рекомендуем:  Как обновить ноутбук до заводских настроек леново виндовс 10
Adblock
detector