Irf640n распиновка на русском

Irf640n распиновка на русском

..1. irf640n.pdf Size:155K _international_rectifier

PD — 94006IRF640NIRF640NSIRF640NL Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt RatingD 175C Operating TemperatureVDSS = 200V Fast Switching Fully Avalanche RatedRDS(on) = 0.15 Ease of ParallelingG Simple Drive RequirementsDescriptionID = 18AFifth Generation HEXFET Power MOSFETs from SInternational Rectifier utilize advanced processi

..2. irf640n.pdf Size:245K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor IRF640NIIRF640NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 150mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITION Efficient and reliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

PD — 95046AIRF640NPbFIRF640NSPbFl Advanced Process Technology IRF640NLPbFl Dynamic dv/dt RatingHEXFET Power MOSFETl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingDVDSS = 200Vl Fully Avalanche Ratedl Ease of Parallelingl Simple Drive Requirements RDS(on) = 0.15Gl Lead-FreeDescriptionID = 18AFifth Generation HEXFET Power MOSFETs fromSInternational Rectif

PD — 95046AIRF640NPbFIRF640NSPbFl Advanced Process Technology IRF640NLPbFl Dynamic dv/dt RatingHEXFET Power MOSFETl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingDVDSS = 200Vl Fully Avalanche Ratedl Ease of Parallelingl Simple Drive Requirements RDS(on) = 0.15Gl Lead-FreeDescriptionID = 18AFifth Generation HEXFET Power MOSFETs fromSInternational Rectif

0.3. irf640ns.pdf Size:228K _inchange_semiconductor

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF640NSFEATURESWith TO-263( DPAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a

0.4. irf640nl.pdf Size:244K _inchange_semiconductor

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF640NLFEATURESWith TO-262 packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PAR

Источник

Характеристики транзистора IRF640

Как пишут производители в официальных технических характеристиках на IRF640 (datаsheet) – это мощный МОП-транзистор (MOSFET) c n-каналом. Он применяется в управление электродвигателями и реле. Кроме этого его можно найти в схемах, требующих большой скорости переключения. Благодаря небольшой мощности, требуемой для переключения, управлять IRF640 можно сигналами от микросхемы.

Цоколевка

Изготавливают IRF640 в пластиковом корпусе ТО-220АВ, имеющем жёсткие выводы. Если расположить транзистор маркировкой к себе и ножками вниз, то цоколевка выводов будет располагаться в следующем порядке: слева затвор, потом сток и последним будет исток. Внешний вид, распиновка и габариты приведены на рисунке.

Технические характеристики

Рассмотрение параметром транзистора начнём с максимально допустимых характеристик. Они показывают предельные возможности IRF640. Их превышение недопустимо, так как в этом случае транзистор выйдет из строя.

Вот предельные (абсолютные) характеристики современного IRF640:

  • напряжение сток-исток VDS = 200 В;
  • напряжение затвор-исток: VGS = 20 В;
  • ток стока (напряжение затвор-исток 10 В):
  • при Тс= +25°С ID = 18 А;
  • при Тс= +100°С ID = 11 А;
  • кратковременный ток стока: 72 А.
  • мощность PD = 125 Вт;
  • максимальная т-ра кремния +300°С;
  • рабочая т-ра: от -55°С до +150°С.

Производители делят характеристики IRF640 на три части: статические, динамические и канала сток-исток. Все они приведены в следующей таблице. Измерение параметров происходило при температуре +25°С.

Электрические характеристики транзистора IRF640 (при Т = +25 о C)
Параметры Режимы измерения Обозн. min typ max Ед. изм
Статические характеристики
Напряжение пробоя сток-исток ID = 250 мкА, VGS = 0 В VDSS 200 В
Пороговое напряжение включения затвор-исток ID = 250 мкА, VGS = VDS VGS(th) 2 3 4 В
Ток стока при нулевом напряжении затвора VDS = 200 В, VGS = 0 В,

Tj = 25°C

IDSS 25 мкА
VDS = 200 В, VGS = 0 В,

Tj = 125°C

250 мкА
Ток утечки затвор-исток VGS = 20 В, VDS = 0 В IGSS 100 нА
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии ID = 10 A, VGS = 10 В RDS(on) 0,15 0,18 Ом
Динамические характеристики
Крутизна ID = 9 A gfs 7 11 S
Входная ёмкость VDS =25 В, VGS =0 В, f=1,0 МГц 1200 1560 пФ
Выходная ёмкость 200 260 пФ
Ёмкость затвор — сток 60 80 пФ
Время задержки включения VDD =100 В, ID =18 A,

RG =25 Ом

td(on) 20 50 нс
Время нарастания tr 145 300 нс
Время задержки включения td(off) 145 300 нс
Время закрытия транзистора tf 110 230 нс
Характеристики канала исток-сток
Максимальный непрерывный длительный ток исток-сток Т = 25°C IS 18 А
Максимально допустимый импульсный ток через канал Т = 25°C ISM 72 А
Прямое падение напряжения на диоде Т = 25°C, IF = 18 A VSD 2 В
Время обратного восстановления VR = 25 В, IF = 18 A, di/dt=100A/мкс, Т=25°C Trr 130 нс
Заряд восстановления Qrr 0,8 мкКл

Кроме этого существуют также термические характеристики. Их следует учитывать при расчёте схем, в которых используются мощные транзисторы с большим риском перегрева. Они показывают с какой скоростью тепло отводится от транзистора чтобы он не перегрелся и не вышел из строя.

Тепловые характеристики IRF640
Параметры Обозн. max Ед. изм
Тепловое сопротивление кристалл-корпус Rthj-case 1 ° С/Вт
Тепловое сопротивление корпус-радиатор Rthj-sink 0,5 ° С/Вт
Тепловое сопротивление кристалл-окружающая среда Rthj-amb 62,5 ° С/Вт
Максимальная температура свинца для пайки 300 ° С

Аналоги

IRF640 можно заменить на такие зарубежные аналоги: 2SK2136, BUZ31, FQP19N20C. Существуют и отечественные транзисторы, похожие по параметрам, это: КП750А, КП640.

Производители

Среди крупных производителей отметим такие компании:

В Российских магазинах можно купить продукцию следующих фирм:

Скачать datasheet на IRF640 можно кликнув на названия производителя.

Источник

Транзистор IRF640

Характеристики мощного полевого транзистора IRF640 говорят нам о том, что он используется в схемах требующих высокой скорости и низкой мощности переключения затвора, в системах управления электроприводом реле.

Также его применяют для управления его биполярными сородичами. Он является n-канальным МОП-транзистором (MOSFET), который можно встретить в блоках питания, телевизорах и компьютерных мониторах. Управление данным изделием может осуществляться непосредственно от микросхемы.

Распиновка

Цоколевка IRF640 выполнена в пластмассовом корпусе ТО-220АВ с жесткими выводами. На рисунке ниже показано расположение их и геометрические размеры корпуса.


Если смотреть на маркировку то слева направо будут расположены: первая ножка — затвор, вторая — сток, третья — исток.

Характеристики

На русском языке технические характеристики IRF640 найти довольно трудно, поэтому мы перевили их и опубликовали ниже. Предельно допустимые:

  • Наибольшее возможное напряжение сток-исток: 200 В.
  • Предельное напряжение затвор-исток: 20 В.
  • Максимальный ток через сток (напряжение затвор-исток 10 В):
    18 А (при Тс= +25 о С).
    11 А (при Тс= +100 о С).
  • Наибольший пиковый ток стока: 72 А.
  • Предельная рассеиваемая мощность при температуре +25 о С: 125 Вт.
  • Максимальная температура: +300 о С.
  • Рабочая температура: от -55 о С до +150 о С

Все электрические параметры транзистора можно разделить на две группы: статические и динамические. Данные значения указаны для температуры окружающей среды +25 о С, если явно не написано другое. В приведенных таблицах указаны численные величины режимов работы, при которых производились измерения.

Далее приведем динамические-электрические параметры irf640.

Последними в datasheet всегда указываются сведения о термических характеристиках.

Все эти значения важны при проектировании схем с использованием мощных транзисторов. Например, при использовании его в усилителях мощности или блоков питания.

Если транзисторы не охлаждаются должным образом, они перегреваются и как правило, перегорают через несколько минут или даже секунд. Чтобы избежать этого, нужны тепловые расчеты.

Чтобы убедиться в правильности расчетов можно протестировать готовое изделие. Для этого его нужно оставить работать в обычном режиме в течение нескольких часов. При этом любая ошибка в тепловом расчете может быть легко обнаружена и исправлена.

Старое эмпирическое правило «если можно положить руку то все хорошо» по-прежнему работает. Обратное не всегда верно. Например, транзистор может нагреваться до 80°C и будет слишком горячий для прикосновения, но при этом он будет работать нормально. Иметь горячие компоненты не рекомендуется, потому от них могут нагреваться рядом стоящие устройства. Чем меньшая температура у транзистора, тем больше его срок службы.

На рисунке ниже приведены графики зависимости крутизны передаточной характеристики gfs от тока стока Ic для температур +25°C и 150°C.

Из данного графика видно, что значение gfs растет, пока Ic

Источник

Adblock
detector