D209l характеристики распиновка
Наименование производителя: D209L
Тип материала: Si
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
D209L Datasheet (PDF)
0.1. 3dd209l.pdf Size:470K _jilin_sino
0.2. 3dd209l.pdf Size:212K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 3DD209LDESCRIPTIONHigh breakdown voltageHigh switching speedHigh current capabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSEnergy-saving lightElectronic ballastsHigh frequency switching power supplyHigh frequency power transformABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMB
Транзистор D209L
Цоколевка и размеры
Общее описание
Транзистор используется в высоковольтных устройствах, высокоскоростных переключающих схемах, например, в системах освещения и источниках напряжения со ступенчатым режимом работы.
Таблица предельно допустимых значений
Работа транзистора с превышением значений, указанных в таблице, может его повредить или нарушить функционирование: пропадут или изменятся усилительные и переключающие характеристики полупроводникового прибора. Не рекомендуется допускать режимы с такими нагрузками. Кроме того, длительная работа с превышением предельных значений может повлиять на надежность радиокомпонента в будущем.
Параметры таблицы действительны для температуры окружающей среды +25°C.
| Обозначение | Параметр | Режим изм. | Величина | Ед.изм. |
|---|---|---|---|---|
| VCES | Напряжение коллектор-эмиттер | VBE = 0 | 700 | V |
| VCEO | Напряжение коллектор-эмиттер | IB = 0 | 400 | V |
| VEBO | Напряжение эмиттер-база | IC = 0 | 9 | V |
| IC | Ток коллектора | A | ||
| ICP | Импульсный ток коллектора | 25 A | A | |
| IB | Ток базы | 6.0 A | A | |
| IBM | Пиковый ток базы | tP = 5ms | 12 | A |
| PC | Мощность рассеяния при Tc* = 25℃ | 130 | W | |
| Мощность рассеяния при Ta**= 25℃ | 2,3 | |||
| TJ | Рабочая температура перехода | -40…+150 | ℃ | |
| TSTG | Температура хранения | -40…+150 | ℃ |
*Tc: Температура корпуса при хорошем охлаждении
**Ta: Температура воздуха, транзистор без теплоотвода
Таблица тепловых характеристик
| Обозначение | Параметр | Величина | Ед.изм. |
|---|---|---|---|
| RθJc | Тепловое сопротивление переход-корпус | 0.96 | ℃/W |
| RθJA | Тепловое сопротивление переход-воздух | 40 | ℃/W |
Таблица электрических характеристик при температуре корпуса 25℃
| Обозна-чение | Параметр | Условия изм. | Величина | Ед. изм. | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| VCEO(sus) | Пробивное напряжение коллектор-эмиттер | Ic=10mA,Ib=0 | 400 | V | ||
| VCE(sat) | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Ic=5.0A,Ib=1.0A | 0,5 | V | ||
| Ic=8.0A,Ib=1.6A | 1 | |||||
| Ic=12A,Ib=3.0A | 1,5 | |||||
| Ic=8.0A,Ib=1.6A Tc=100℃ | 2 | V | ||||
| VBE(sat) | Напряжение насыщения база-эмиттер | Ic=5.0A,Ib=1.0A | 1,2 | V | ||
| Ic=8.0A,Ib=1.6A | 1,6 | |||||
| Ic=8.0A,Ib=1.6A Tc=100℃ | 1,5 | V | ||||
| ICBO | Ток отсечки коллектор-база (Vbe=-1.5V) | Vcb=700V | 1 | mA | ||
| Vcb=700V, Tc=100℃ | 5 | |||||
| hFE | Коэффициент усиления по постоянному току | Vce=5V,IС=5A | 10 | 40 | ||
| Vce=5V, IС=8A | 6 | 40 | ||||
| Активная нагрузка | ||||||
| ts | Продолжительность | VCC=125V , Ic=6.0A | 1,5 | 3 | ㎲ | |
| IB1=1.6A , IB2=-1.6A | ||||||
| tf | Время спада | Tp=25㎲ | 0,16 | 0,4 | ||
| Индуктивная нагрузка | ||||||
| ts | Продолжительность | VCC=15V, Ic=5A | 0,6 | 2 | ㎲ | |
| IB1=1.6A , Vbe(off)=5V | ||||||
| tf | Время спада | L=0.35mH, Vclamp=300V | 0,04 | 0,1 | ||
| Индуктивная нагрузка | ||||||
| ts | Продолжительность | VCC=15V, Ic=1A IB1=0.4A , Vbe(off)=5V | 0,8 | 2,5 | ㎲ | |
| tf | Время спада | L=0.2mH, Vclamp=300V Tc=100℃ | 0,05 | 0,15 | ||
Параметры импульсного режима: длительность 300㎲, скважность 2%.
Импортные и отечественные аналоги
| Аналог | VCEO | IC | PC | hFE | fT | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|
| D209L | 400 | 12 | 130 | 6 | 5 | ТО3Р |
| Отечественное производство | ||||||
| КТ872 | 700 | 8 | 100 | 6 | 5 | КТ43 |
| Импорт | ||||||
| 2SC3306 | 400 | 10 | 100 | 10 | ТО3Р | |
| 3DD13012_AN | 400 | 15 | 120 | 15 | 5 | TO3P |
| FJA13009 | 400 | 12 | 130 | 8 | TO3P | |
| 2SC2625 | 400 | 10 | 80 | 10 | ТО3Р | |
| 13007 | 400 | 9 | 85 | 20 | 5 | ТО220 |
| 2SC4242 | 400 | 7 | 40 | 10 | ТО220 | |
| 2SC2553 | 400 | 5 | 40 | 12 | ТО220 | |
| 2SC3039 | 400 | 7 | 50 | 30 | ТО220 | |
Размеры корпусов аналогов транзистора D209L
Примечание: параметры транзисторов в таблице взяты из даташип производителя.
Графические данные
Рис. 1. Зависимость коэффициента усиления по постоянному току (hFE) от тока коллектора (IC).
Рис. 2. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)) от тока коллектора (IC).
Рис. 3. Области безопасной работы: ось X – напряжение коллектор-эмиттер (VCE), ось Y – ток коллектора (IC).
Рис. 4. Зависимость относительного снижения мощности рассеяния от температуры корпуса (TC).
Рис. 5. Области безопасной работы в обратносмещенном режиме: ось X – напряжение коллектор-эмиттер (VCE), ось Y – ток коллектора (IC).
Рис. 6. Схема включения транзистора под активной нагрузкой для проведения замеров.
Рис. 7. Схема включения транзистора для проведения замеров под индуктивной нагрузкой и в обратносмещенном режиме.
Транзистор D209L
Транзистор D209L отличается высоким напряжением пробоя, надёжностью и отличной скоростью переключения. Наиболее часто используется в переключающих схемах, ультразвуковых генераторах, высокочастотных инверторах и усилителях мощности.
Характеристики транзистора D209L
- разность потенциалов между К-Б (при VBE = 0) VCBO (Uкб max) = 700 В;
- напряжение, действующее между К-Э (при IB = 0) VCEO (Uкэ max) = 400 В;
- потенциалов между Э-Б (при IС = 0) VEBO (Uэб max) = 9 В;
- ток коллектора, действующий длительное время IC (Iк max) = 12 А;
- кратковременный ток через коллектор ICP (Iк пик) = 26 А;
- постоянный ток через базу IВ (IБ max) = 6 А;
- рассеиваемая мощность на коллекторе (при температуре окружающей среды +25 О С):
- — с радиатором РС (Рк max) = 130 Вт;
- — без радиатора РС (Рк max) = 2,3 Вт.
- диапазон температур хранения и работы Tstg = -40 … +150 О С;
- температура кристалла макс. Tj = 150 О С;
- термическое сопротивление кристалл – корпус RθJc = 0,96 °С/Вт;
- термическое сопротивление кристалл – окружающая среда RθJA = 40 °С/Вт.
Помимо основных не стоит забывать о электрических характеристиках, все измерения проводились при температуре +25 О С. Все остальные условия измерения если они есть, указаны в одноименном столбце.
| Электрические характеристики транзистора D209L (при Т = +25 о C) | ||||||
| Параметры | Режимы измерения | Обозн. | min | typ | max | Ед. изм |
| Пробивное напряжение К — Э | IC= 10 мA, IВ= 0 | V(BR)CEО | 400 | В | ||
| Пробивное напряжение К — Б | IC =1 мA, IЕ = 0 | V(BR)CВO | 700 | В | ||
| Напряжение насыщения К — Э | IC= 5 A, IB = 1 A | VCE(sat) | 1 | В | ||
| Напряжение насыщения Б — Э | IC= 8 A, IB = 1,6 А | VВE(sat) | 1,2 | В | ||
| Обратный ток эмиттера | VEB = 7 В, IC = 0 | IEBO | 0,01 | мА | ||
| К-т усиления по току | IC = 5 A ; VCE = 5 В | hFE1 | 8 | 40 | ||
| IC = 8 A ; VCE = 5 В | hFE1 | 6 | 30 | |||
| Граничная частота усиления | VCE =10В , IC = 100 мA, f=1МГц | fT | 5 | МГц | ||
| Время открытия транзистора | IC = 8A , IB1 = -IB2 = 1.6A | ts | 3 | мкс | ||
| Время закрытия транзистора | tf | 0,7 | мкс | |||
Рассмотрим график зависимости к-та передачи тока от тока коллектора. На рисунке представлены четыре графика: для температуры 25°С два графика (один для VCE = 5 В, а второй для VCE = 1 В) и два для ТС = 125°С. Из приведённых данных видно, что усиление D209L сначала остаётся постоянным, пока ток коллектора не превысит отметку 1 А, а потом начинает падать. При этом чем выше температура, тем выше к-т усиления. Также видно, что чем меньше напряжение коллектор – эмиттер, тем быстрее начинает снижаться усиление.
Цоколевка
Изготавливается транзистор в корпусе TO-3PN. Если смотреть на D209L со стороны маркировки, то ножки будут располагаться слева направо в таком порядке: база, коллектор, эмиттер. Увидеть расположение выводов можно на рисунке.
Аналоги
Есть вы подбираете аналог для D209L то стоит присмотрится к следующим транзисторам:
Наиболее близкий аналог их отечественных устройств будет КТ872.
Datasheet D209L
Данный транзистор изготавливают следующие компании:
D209L не всегда можно найти в отечественных магазина, обычно его покупают на алиэкспрессе, где можно найти продукцию всех перечисленных производителей.