Транзистор d2012 (2sd2012)
2SD2012 — биполярный, низкочастотный, силовой транзистор, изготовленный на кремниевой основе со структурой перехода NPN. Конструктивное исполнение — TO-220F.
Корпус и цоколевка
Предназначение
Транзистор 2sd2012 может быть использован в качестве:
- Усилителя мощности общего назначения;
- Переключателя общего назначения.
Пример использования: усилитель мощности звуковой частоты.
Характерные особенности
- Высокий коэффициент усиления постоянного тока: минимум hFE= 100;
- Низкое напряжение насыщения: максимум VCE(sat)= 1 В;
- Высокое значение рассеиваемой мощности: максимум PC= 25 Вт.
Предельные эксплуатационные характеристики
| Характеристика | Обозначение | Величина |
|---|---|---|
| Пробивное напряжение коллектор-база | VCBO | 60 В DC |
| Граничное напряжение транзистора | VCEO | 60 В DC |
| Пробивное напряжение эмиттер-база | VEBO | 7 В DC |
| Максимальный ток коллектора | IC | 3 A DC |
| Максимальный ток базы | IB | 0.5 A DC |
| Максимальный импульсный ток коллектора | ICM | 6 A DC |
| Рассеиваемая мощность | PC | Max 25 Вт |
| Максимальная температура при переходе | TJ | +150 °C |
| Максимальная температура при хранении | Tstg |
Типовые термические параметры
| Характеристика | Обозначение | Величина |
|---|---|---|
| Теплопередача от кристалла к корпусу |
Электрические характеристики
Данные в таблице приведены для работы при температуре 25°C.
| Характеристика | Обозначение | Параметры при измерениях | Величина |
|---|---|---|---|
| Пробивное напряжение коллектор-эмиттер | IB= 0 | 60 В DC | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | VCE(sat) | IC= 2A IB= 0.2A | 1 В DC |
| Напряжение на переходе база-эмиттер | VBE(on) | IC= 0.5A VCE= 5V | 1 В DC |
| Обратный ток коллектора | ICBO | VCB= 60V IE=0 | 0.1 мА DC |
| Обратный ток эмиттера | IEBO | VEB= 7V IC=0 | 0.1 мА DC |
| Статический коэффициент усиления по току | hFE-1 | IC= 0.5A VCE=5V | |
| hFE-2 | IC= 2A VCE=5V | 20 | |
| Граничная частота коэффициента передачи тока | fT | IC= 0.5A VCE=5V | 3 МГц |
| Выходная емкость | COB | IE= 0 VCB= 10V ftest= 1.0MHz | 35 пФ |
Комплементарная пара
Для транзистора d2012 (2sd2012) комплементарной парой выступает PNP транзистор 2SB1375.
Аналоги
| Тип | Uce | Ucb | Ueb | Ic | Pc | hfe | ft |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Оригинал | |||||||
| d2012(2sd2012) | 60 В | 60 В | 7 В | 3 А | 25 Вт | 100…320 | 9 МГц |
| Зарубежные аналоги | |||||||
| 2SC1826 | 60 В | 80 В | 6 В | 4 А | 30 Вт | 40…320 | |
| 2SD613 | 85 В | 100 В | 6 В | 6 А | 40 Вт | 40…320 | 5 МГц |
| BD537 | 80 В | 80 В | 5 В | 8 А | 50 Вт | От 40 | 3 МГц |
| BDT81F | 60 В | 60 В | 36 Вт | От 40 | 10 МГц | ||
| KSD2012 | 60 В | 60 В | 7 В | 3 А | 9 МГц | ||
| 6 В | 5 А | 80 Вт | От 8 | — | |||
| TIP42D | 120 В | 160 В | 5 В | 6 А | 65 Вт | От 15 | 3 МГц |
| Отечественные аналоги | |||||||
| КТ817Б | 45 В | 45 В | 5 В | 3 А | 25 Вт | 25…275 | 3 МГц |
Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производителя.
Основные графические зависимости
Рис 1. Область безопасной работы транзистора. В области токов ограничением является максимальное значение тока коллектора, а в области напряжения максимальное напряжение коллектор-эмиттер.
Рис 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току hFE транзистора от величины коллекторной нагрузки IC.
Рис 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.
Рис 4. Передаточная характеристика транзистора – зависимость тока коллектора IC от напряжения управления (базы) UBE.
Рис 5. Кривая снижения мощности. Показывает ограничение мощности рассеивания транзистора при возрастании температуры его корпуса TC.
D2012 характеристики схема подключения
Наименование производителя: 2SD2012
Тип материала: Si
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
2SD2012 Datasheet (PDF)
2SD2012NPN SILICON POWER TRANSISTOR HIGH DC CURRENT GAIN LOW SATURATION VOLTAGE INSULATED PACKAGE FOR EASYMOUNTINGAPPLICATIONS GENERAL PURPOSE POWER AMPLIFIERS GENERAL PURPOSE SWITCHING3DESCRIPTION 21The 2SD2012 is a silicon NPN power transistorhoused in TO-220F insulated package.TO-220FIt is inteded for power linear and switchingapplications.INTERNAL SCHE
..2. 2sd2012.pdf Size:126K _toshiba
2SD2012 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SD2012 Audio Frequency Power Amplifier Applications Unit: mm Low saturation voltage: VCE (sat) = 0.4 V (typ.) (IC = 2A / IB = 0.2A) High power dissipation: PC = 25 W (Tc = 25C) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 60 VCollector-emitter voltage
..3. 2sd2012.pdf Size:209K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD2012DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 100 (Min)@ I = 0.5AFE CLow Saturation Voltage-: V = 1.0V (Max)CE(sat)High Power Dissipation: P = 25 W(Max)@ T = 25C CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio frequency power amplifier
8.1. 2sd2018.pdf Size:78K _panasonic
Power Transistors2SD2018Silicon NPN epitaxial planar type darlingtonFor low-frequency amplificationUnit: mm8.0+0.50.13.20.2 3.160.1 Features High forward current transfer ratio hFE Built-in 60 V Zener diode between base to collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25CParameter Symbol Rating UnitCollector-base voltage (Emitter open) VCBO 60+25 V
8.2. 2sd2019.pdf Size:32K _hitachi
2SD2019Silicon NPN EpitaxialApplicationLow frequency power amplifierOutlineTO-126 MOD231. EmitterID2. Collector3. Base115 k 0.5 k23(Typ) (Typ)12SD2019Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 150 VCollector to emitter voltage VCEO 80 VEmitter to base voltage VEBO 8VCollector current IC 1.5 A
8.3. 2sd2015.pdf Size:72K _jmnic
Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2SD2015 DESCRIPTION With TO-220F package DARLINGTON APPLICATIONS Driver for solenoid Relay and motor General purpose PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Collector3 EmitterFig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol Absolute maximum ratings (Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT
8.4. 2sd2017.pdf Size:25K _sanken-ele
Equivalent CcircuitBDarlington 2SD2017(4k)ESilicon NPN Triple Diffused Planar TransistorApplication : Driver for Solenoid, Relay and Motor and General Purpose(Ta=25C) Absolute maximum ratings (Ta=25C) Electrical Characteristics External Dimensions FM20(TO220F)Symbol 2SD2017 Symbol Conditions 2SD2017 UnitUnit0.24.20.210.1c0.52.8VCBO 300 ICBO VCB=300
8.5. 2sd2016.pdf Size:21K _sanken-ele
CEquivalentcircuitBDarlington 2SD2016(2k) (200)ESilicon NPN Triple Diffused Planar TransistorApplication : Igniter, Relay and General Purpose Absolute maximum ratings (Ta=25C) Electrical Characteristics (Ta=25C) External Dimensions FM20(TO220F)Symbol 2SD2016 Unit Symbol Conditions 2SD2016 Unit0.24.20.210.1c0.52.8 AVCBO 200 V ICBO VCB=200V 10ma
8.6. 2sd2014.pdf Size:26K _sanken-ele
Equivalent CcircuitBDarlington 2SD2014(3k) (200)ESilicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SB1257)Application : Driver for Solenoid, Relay and Motor, Series Regulator, and General Purpose Absolute maximum ratings (Ta=25C) Electrical Characteristics (Ta=25C) External Dimensions FM20(TO220F)Symbol 2SD2014 Symbol Conditions 2SD2014 Unit 4.2Uni
8.7. 2sd2015.pdf Size:26K _sanken-ele
Equivalent CcircuitBDarlington 2SD2015(3k) (500)ESilicon NPN Triple Diffused Planar TransistorApplication : Driver for Solenoid, Relay and Motor and General Purpose Absolute maximum ratings (Ta=25C) Electrical Characteristics (Ta=25C) External Dimensions FM20(TO220F)Symbol Conditions 2SD2015Symbol 2SD2015 Unit Unit0.24.20.210.1c0.52.8ICBO VCB=150V
8.8. 2sd2017.pdf Size:209K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD2017DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 250V(Min)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = 1.5V(Max) @I = 2ACE(sat) CHigh DC Current Gain: h = 2000(Min) @ I = 2A, V = 2VFE C CEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned of d
8.9. 2sd201.pdf Size:193K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD201DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 60V(Min.)CEO(SUS)Low Collector Saturation Voltage-High Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier and switching application
8.10. 2sd2016.pdf Size:210K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD2016DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 200V(Min)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = 1.5V(Max) @I = 1ACE(sat) CHigh DC Current Gain: h = 1000(Min) @ I = 1A, V = 4VFE C CEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSIgniter, relay and
8.11. 2sd2014.pdf Size:210K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD2014DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 80V(Min)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = 1.5V(Max) @I = 3ACE(sat) CHigh DC Current Gain: h = 2000(Min) @ I = 3A, V = 2VFE C CEComplement to Type 2SB1257Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLI
8.12. 2sd2015.pdf Size:210K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD2015DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 120V(Min)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = 1.5V(Max) @I = 2ACE(sat) CHigh DC Current Gain: h = 2000(Min) @ I = 2A, V = 2VFE C CEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for drive