2sc2625 характеристики схема подключения
..1. 2sc2625.pdf Size:129K _mospec
..2. 2sc2625.pdf Size:216K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC2625DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 400V(Min)(BR)CEOMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching regulatorsUltrasonic generatorsHigh frequency invertersGeneral purpose power amplifiersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25
RoHS 2SC2625B RoHS SEMICONDUCTORNell High Power ProductsSilicon NPN triple diffusion planar transistor(High voltage switching transistor)10A/400V/80W15.60.44.80.29.62.00.13.20,1TO-3P(B)23FEATURES+0.2+0.20.651.05-0.1-0.1 High-speed switching High collector to base voltage VCBO5.450.1 5.450.11.4 Satisfactory linearity of foward cur
8.1. 2sc2626.pdf Size:101K _fuji
Fuji Semiconductor, Inc. — P.O. Box 702708 — Dallas, TX 75370 — 972-733-1700 — www.fujisemiconductor.com
8.2. 2sc2620.pdf Size:24K _hitachi
2SC2620Silicon NPN Epitaxial PlanarApplicationVHF amplifier, Local oscillatorOutlineMPAK311. Emitter2. Base23. Collector2SC2620Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 30 VCollector to emitter voltage VCEO 20 VEmitter to base voltage VEBO 4VCollector current IC 20 mACollector power dissipation PC 100 mWJ
8.3. 2sc2620.pdf Size:337K _kexin
SMD Type TransistorsNPN Transistors2SC2620SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features Collector Current Capability IC=20mA1 2 Collector Emitter Voltage VCEO=20V+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector — Base Voltage VCBO 30 Collect
2SC2621(3DA2621) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Color TV chroma output applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 300 V CBO V 300 V CEO V 6.5 V EBO I 200 mA C I 700 mA CP P (Ta=25) 1.2 W CP (Tc=25) 10 W CT 150
8.5. 2sc2626.pdf Size:213K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2626DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 400V(Min)(BR)CEOHigh Switching SpeedHigh ReliabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching regulatorsUltrasonic generatorsHigh frequency invertersGeneral purpose power amplifiersABSOLUTE MAXI
8.6. 2sc2624.pdf Size:213K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2624DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 400V(Min)(BR)CEOHigh Switching SpeedHigh ReliabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching regulatorsUltrasonic generatorsHigh frequency invertersGeneral purpose power amplifiersABSOLUTE MAXI
Транзистор 2SC2625
2SC2625 — кремниевый, со структурой NPN, диффузионный планарный транзистор для высокоскоростных высоковольтных переключающих цепей. Конструктивное исполнение – TO-3(P/PN).
Корпус, цоколевка и размеры
Предназначение
Транзистор разработан для применения в силовых переключающих цепях индуктивного характера, как-то: импульсных регуляторах, ультразвуковых генераторах, высокочастотных инверторах, силовых усилителях общего назначения.
Характерные особенности
- Высокое граничное напряжение коллектор-эмиттер: U(BR)CEO ≥ 400 В.
- Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер: UCE(sat) ≤ 1,2 В при IC = 4,0 А, IB = 0,8 А.
- Высокая скорость переключений: tf ≤ 1,0 мкс при IC = 5,0 А.
- Удовлетворительная линейность изменения параметра hFE.
- Незначительные различия в значениях параметров транзистора при поставке от партии к партии.
Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное.
Предельные эксплуатационные характеристики
| Характеристика | Обозначение | Величина |
|---|---|---|
| Напряжение коллектор – база транзистора, В | UCBO | 450 |
| Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В | UCEO | 400 |
| Напряжение эмиттер – база транзистора, В | UEBO | 7 |
| Ток коллектора постоянный, А | IC | 10 |
| Ток коллектора импульсный, А | ICM | 20 |
| Ток базы постоянный, А | IB | 3 |
| Предельная рассеиваемая мощность, Вт, при TC = 25°C | PC | 80 |
| Предельная температура полупроводниковой структуры, °С | Tj | 150°C |
| Диапазон температур при хранении и эксплуатации, °С | Tstg | |
| Тепловое сопротивление p-n переход – корпус транзистора, °С/Вт | RƟJС | 1,56 |
Электрические параметры
| Характеристика | Обозначение | Параметры при измерениях | Значения | |||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Характеристики выключенного состояния | ||||||||||||||
| Напряжение пробоя коллектор-база, В | U(BR)CBO | ≥ 450 | ||||||||||||
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В | U(BR)CEO | ≥ 400 | ||||||||||||
| Напряжение пробоя эмиттер-база, В | U(BR)EBO | ≥ 7,0 | ||||||||||||
| Ток коллектора выключения, мА | ICBO | ≤ 1,0 | ||||||||||||
| Ток эмиттера выключения, мкА | IEBO | ≤ 100,0 | ||||||||||||
| Характеристики включенного состояния ٭ | ||||||||||||||
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | UCE(sat) | ≤ 1,2 | ||||||||||||
| Напряжение насыщения база-эмиттер, В | UBE(sat) | ≤ 1,5 | ||||||||||||
| Статический коэффициент усиления по току | hFE | ≥ 10 | ||||||||||||
| Временные характеристики работы транзистора | ||||||||||||||
| Время нарастания импульса, мкс | ton | UCC = 150 В, IC = 5,0 А, | 80 | 450 | 400 | 7 | 10 | 150 | 1,56 | TO-3P | ||||
| 2SC2625 | 80 | 450 | 400 | 7 | 10 | 150 | > 10 | 1,17 | 10 | 1,55 | 10 | 1,56 | 1,2 | TO-3P |
| 2SC2626 | 80 | 450 | 300 | 7 | 15 | 150 | > 10 | 1,55 | 1,2 | 0,8 / 2,0 / 0,8 | TO-218 | |||
| 2SC3318 | 80 | 500 | 400 | 7 | 10 | 150 | > 45 | 1,55 | 1 | 0,5 / 1,5 / 0,15 | TO-218 | |||
| 2SC3320 | 80 | 500 | 400 | 7 | 15 | 150 | > 30 | — | 1 | 0,5 / 1,5 / 0,15 | TO-218 | |||
| 2SC3847 | 85 | 1200 | 800 | 7 | 10 | 150 | > 100 | — | 1,5 | 0,5 / 3,5 / 0,3 | TO-218 | |||
| 2SC4138 | 80 | 500 | 400 | 10 | 10 | 150 | > 45 | — | 0,5 | 1,0 / 3,0 / 0,5 | TO-218 | |||
| 2SC4275 | 80 | 500 | 400 | 10 | 10 | 150 | > 120 | 1,56 | 0,8 | 1,0 / 2,5 / 0,5 | TO-218 | |||
| 2SC4276 | 80 | 500 | 400 | 10 | 15 | 150 | > 30 | 1,56 | 0,8 | 1,0 / 2,5 / 0,5 | TO-218 | |||
| 2SC4298 | 80 | 500 | 400 | 10 | 15 | 150 | > 55 | — | 1,3 | 1,0 / 3,0 / 0,5 | TO-218 | |||
| 2SC4509 | 80 | 500 | 400 | 10 | 10 | 150 | > 10 | 1,56 | 0,8 | 1,0 / 2,5 / 0,5 | TO-3PML | |||
| 2SC4510 | 80 | 500 | 400 | 10 | 15 | 150 | > 25 | 1,56 | 0,8 | 1,0 / 2,5 / 0,5 | TO-3PML | |||
| 2SC4557 | 80 | 900 | 550 | 7 | 10 | 150 | > 10 | — | 0,5 | 1,0 / 5,0 / 0,5 | TO-3PML | |||
| 90 | 800 | 500 | 7 | 10 | 150 | 15 — 35 | — | 1 | 0,5 / 3,0 / 0,3 | TO-218 | ||||
| 2SC5352 | 80 | 600 | 400 | 7 | 10 | 150 | > 20 | — | 1 | 0,5 / 2,0 / 0,3 | TO-3PN | |||
| 2SC5924 | 90 | 900 | 600 | — | 14 | > 10 | — | — | — / — / — | TO-3PF | ||||
| KSC5024R/O/Y | 90 | 800 | 500 | 7 | 10 | 150 | — | 1 | 1,0 / 2,5 / 0,5 | TO-3P | ||||
| MJE13009K/P | 80 | 700 | 400 | 9 | 12 | 150 | > 40 | 1,55 | 1,5 | 1,0 / 3,0 / 0,7 | TO-3P TO-220 | |||
| MJE13011 | 80 | 450 | 400 | 7 | 10 | 150 | > 10 | — | 1,5 | 1,0 / 2,0 / 1,0 | TO-3P | |||
| T25 | 80 | 450 | 400 | 7 | 10 | — | > 30 | — | — | — / — / — | TO-3PN | |||
| TT2148 | 80 | 500 | 400 | 7 | 12 | 150 | > 20 | — | 0,8 | 0,5 / 2,5 / 0,3 | TO-3PB | |||
Примечание: данные в таблицах взяты из даташит компаний-производителей.
Графические иллюстрации характеристик
Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора: зависимость коллекторного тока IC от величины напряжения коллектор-эмиттер при различных значениях тока базы (управления) IB.
Характеристика снята при температуре корпуса TC = 25°C.
Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления hFE от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристика получена для трех значений температуры корпуса транзистора, при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 5 В.
Рис. 3. Зависимости напряжений насыщения коллектор -эмиттер UCE(sat) и база-эмиттер UBE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристики получены при соотношении токов IC/IB = 5 и при температуре корпуса транзистора TC = 25°C.
Рис. 4. Зависимости временных характеристик транзистора ton, ts, tf от величины коллекторной нагрузки IC.
Кривые сняты при температуре корпуса транзистора TC = 25°C и при соотношениях: IC = 5IB1, IB1 = -IB2 (см. схему измерений временных характеритсик).
Рис. 5. Область безопасной работы транзистора.
Характеристики ограничения нагрузок по току и напряжению сняты при температуре корпуса TC = 25°C в режиме одиночного импульса тока (надпись в поле рисунка) разных длительностей PW: 50 мкс, 100 мкс, 200 мкс, 500 мкс и 1 мс.
Рис. 6. Ограничение величины рассеиваемой мощности PC транзистора при нарастании температуры корпуса TC.
Характеристики транзистора 2SC2625, Datasheet и аналоги
Транзистор 2SC2625, по своим техническим характеристикам, отличается высокой скоростью переключения и надёжностью. Он разработан для использования в высокочастотных генераторах, импульсных регуляторах и усилителях мощности общего применения. Структура данного устройства n-p-n. В конце статьи можно будет скачать datasheet от всех производителей.
Цоколевка
Производится 2SC2625 в корпусе ТО-3Р, в нем мы и будет рассматривать цоколевку. Чтобы определить где какой вывод находится нужно повернуть транзистор лицевой стороной к себе, так, чтобы ножки смотрели вниз. Тогда справа будет база, в середине коллектор, а справа эмиттер. Следует также учитывать, что при нанесении маркировки иногда пропускаются первые два символа, то есть «2S» и остаётся только «C2625». Как выглядит устройство и расположение ножек представлено на рисунке.
Технические характеристики
В первую очередь приведём предельно допустимые характеристики. Они являются наиболее важными, и поэтому все производители их размещают вначале своих datasheet. Именно на них обращают внимание инженеры и радиолюбители при проектировании новых устройств и подборе замены для вышедшего из строя транзистора. Ведь если придётся работать при параметрах, превышающих его возможности он не выдержит и выйдет из строя. Они измеряются при температуре +25°С.
Для 2SC2625 эти характеристики равны:
- напряжение К — Б VCBO (Uкб max) = 450 В;
- напряжение К – Э VCEO (Uкэ max) = 400 В;
- напряжение пробоя К – Э VCEO(SUS) (Uкэ нас) = 400 В;
- ток коллектора IC (Iк max) –10 А;
- ток через базу IВ (IБ max) – 3 А;
- термическое сопротивление кристалл-корпус Rth(j-c) = 1,55 °C/Вт;
- максимальная мощность на коллекторе РС (Рк max) = 80 Вт;
- т-ра кристалла – 150 О С;
- диапазон температур, при которых изделие может сберегаться Tstg – 55 … 150 О С.
После предельных, перейдём к рассмотрению электрических значений. Ведь они также важны и от них тоже зависят возможности и сфера применения рассматриваемого транзистора. Как обычно, они тестируются при стандартной температуре +25 О С. Кроме этого на результаты измерения могут влиять и другие параметры проведения измерений. Все они приведены в следующей таблице в колонке «Режимы измерения».
Электрические характеристики транзистора 2SC2625 (при Т = +25 о C)
